TRANSISTORES BJT

Páginas: 10 (2493 palabras) Publicado: 9 de marzo de 2015
SERVICIO NACIONAL DE APRENDIZAJE
SENA
CENTRO DE DISEÑO TECNOLÓGICO INDUSTRIAL

MATERIAL DE APOYO
EL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR BJT

TEMA 5
MATERIAL DE APOYO
EL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR BJT
Los objetivos de este tema serán los siguientes:
·

Identificar los tipos de transistores de unión bipolar y sus terminales

·

Reconocer las uniones que conforman un transistor bipolar sea NPN o PNP

·Probar las junturas del

·

Comprobar el estado de funcionamiento de un transistor NPN o PNP

transistor utilizando un Multimetro Análogo o digital

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño
de circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de
control.
Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas.Gracias a ellos fue posible la construcción de receptores de radio portátiles
llamados comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un par de
segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a
válvulas tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30
segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas,
debido algran consumo que tenían.
Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
·

Amplificación de todo tipo (radio, televisión, instrumentación)

·

Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de
radiofrecuencia)

·

Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de
alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación poranchura de
impulsos PWM)

·

Detección de radiación luminosa (fototransistores)

El transistor NPN

El transistor esta compuesto por tres zonas de dopado, como se ve en la figura:

La zona superior es el "Colector", la zona central es la "Base" y la zona inferior es
el "Emisor". El Emisor está muy impurificado, la Base tiene una impurificación muy
baja, Mientras que el Colector posee una impurificaciónintermedia.
En este ejemplo concreto el transistor es un dispositivo NPN, aunque también
podría ser un PNP.
En principio es similar a dos diodos
Un transistor es similar a dos diodos, el transistor tiene dos uniones: una entre el
emisor y la base y la otra entre la base y el colector. El emisor y la base forman
uno de los diodos, mientras que el colector y la base forman el otro. Estos diodos
sondenominados: "Diodo de emisor" (el de la izquierda en este caso) y "Diodo de
colector" (el de la derecha en este caso).

Antes y después de la difusión
Vamos a hacer un estudio del transistor NPN, primeramente cuando está sin
polarizar (sin pilas y en circuito abierto) se produce una "Difusión" (como un gas
en una botella), donde los electrones cruzan de la zona n a la zona p, se difunden,encuentran un hueco y sé recombinan. Esto hace que en las uniones entre las
zonas n y p se creen iones positivos y negativos.

Esta difusión y recombinación se da hasta llegar al equilibrio, hasta conseguir una
barrera de potencial de 0,7 V (para el Si). Se crean 2 z.c.e., una en la unión E-B
(W E) y otra en la unión C-B.
Transistores PNP
Comparamos los transistores NPN y PNP:

El emisor emite, elcolector recoge y la base recombina. El sentido de las
corrientes es el contrario al de los electrones.
Tipos de transistores

En electrónica es muy habitual el hablar de transistores de baja potencia
(pequeña señal) y de transistores de potencia (gran señal). Es una forma muy
sencilla de diferenciar a los transistores que trabajan con potencias relativamente
pequeñas de los transistores que trabajancon potencias mayores, a continuación
podemos observar el encapsulado de varios tipos de transistores de pequeña,
mediana y alta potencia.

Transistores de baja potencia
Se le llama transistor de baja potencia, o pequeña señal, al transistor que tiene
una intensidad pequeña (IC pequeña), lo que corresponde a una potencia menor
de 0,5 W. En este tipo de transistores interesará obtener βcc...
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