Transistores bjt

1.2.1 Polarización del BJT.
Modos de polarizar un transistor bipolar.
• Polarización fija o de base
• Polarización por retroalimentación del emisor.
• Polarización por retroalimentación del colector.
• Polarización por divisor de tensión.
Se analizaran cada una de las técnicas de polarización antes mencionadas con la intención de que se
utilice la mas adecuada para alguna aplicación enparticular, las cuales puedan ser, el transistor como
interruptor, transistor como fuente de corriente, estabilidad del punto de operación en un amplificador,
etc.

INTRODUCCION.
Como el transistor es considerado una fuente de corriente dependiente de la corriente de base,
podemos deducir que la malla de base es la que polariza al transistor para obtener ciertas características
de corriente y voltaje en lamalla de salida, que es donde se obtiene la amplificación.

POLARIZACIÓN FIJA.

RC

RC

RB

RB
VCC

iB

Análisis en la malla de base:
VCC = RB iB + vBE
V −v
iB = CC BE
RB

VCC
RB

Recta de polarización.

Esta ecuación representa una recta que
en intersección nos proporciona la corriente de
base y la tensión base-emisor de operación.

I BQ
vBEQ

VCC vBE

Como la variable a controlar es la
corrientede colector y esta a su vez depende de
la corriente de base
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Ing. José Manuel Glez. Rojas
Notas de la Clase de Electrónica II

1

ic = β

VCC − vBE
RB

⎧ vCE = 0
⎪
Saturación ⎨
VCC
=
i
C
⎪
RC
⎩

De esta ecuación puede notarse que la corriente
de colector variara para el mismo diseño debido
a la granvariación de β para un transistor, aún
tratándose del mismo tipo.

VCC
RC

Análisis en la malla de colector:
VCC = RC iC + vCE
V −v
iC = CC CE
RC

I CQ

A esta ecuación se le conoce como recta
de carga en C.D. y sobre la que se encuentra el
punto de operación.
Con dos puntos conocidos dicha recta puede
trazarse, estos puntos son:
⎧ i =0
Corte ⎨ C
⎩vCE = VCC

Q

VCEQ

VCC

El punto de operación depende delos
parámetros que intervienen en la malla de base.

Ejemplos:
1. Un transistor tiene una β típica de 100, encontrar los valores adecuados de resistencias para la
siguiente condición de polarización:
VCC = 12V

RB = ?

I CQ = 4mA

RC = ?

RB

RC

Punto de operación igual a la mitad de la recta de carga.
Solución:

I CQ

V −v
= β CC BE
RB

RB = β

VCC − vBE
I CQ

RB = (100)

12V − 0.7V
4mA

RB =282.5K Ω

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Ing. José Manuel Glez. Rojas
Notas de la Clase de Electrónica II

2

Como el punto Q debe estar situado a la mitad
de la recta de carga, entonces:
V
vCEQ = CC = 6V
2
V −v
I CQ = CC CEQ
RC

RC =

VCC − vCEQ
I CQ

RC = 1.5K Ω

2. Si el circuito del ejemplo 1, se pretende fabricar en gran escala y dadoque el transistor utilizado
puede tener una β mínima de 60 y una máxima de 180 determine la máxima variación que
experimentara el punto de operación.
Solución:
I Q max = β max

VCC − vBE
RB

I Q max = (180)

Esto corresponde a una gran variación del
punto de operación con respecto al valor
nominal proporcionado en el diseño ( 4mA ).

12V − 0.7V
282.5K Ω

Esto puede observarse en forma grafica:

IQ max = 7.2mA
A esta corriente le corresponde un vCEQ min .

7.2mA

Qmax

vCE min = VCC − I CQ max RC
vCEQ min = 1.2V
I CQ min

V −v
= β min CC BE
RB

Qnom

4mA

Qmin

2.4mA

I CQ min = 2.4mA

Correspondiéndole un vCEQ max :

1.2V

8.4V

vCEQ max = 12V − 2.4mA(1500Ω)
vCEQ max = 8.4V

La variación de I CQ es:
∆I CQ = I max − I Q min
∆I CQ = 4.8mA

Es decir:

2.4mA ≤ I CQ ≤ 7.2mA

Como el punto deoperación es muy
inestable, este tipo de polarización se evita si
queremos que le transistor funcione como
amplificador.
Su gran inestabilidad es aprovechada
para utilizar al transistor como interruptor
(electrónica digital).
Por ejemplo si el transistor tuviera una
β de 200 o más esta produce que el

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