Transistores fet

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CENTRO DE EDUCACION E INSTRUCCIÓN MILITAR AERONAUTICO (CIMA)

| ESCUELA TECNICA DE MECANICA DE AVIACION (ETAM) |

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BACHILLERATO TECNICO VOCACIONAL INDUSTRIAL AERONAUTICO (BTVIA)

PROGRAMA DE INTEGRACION LINEAL DE ESTUDIOS TECNICOS (PILET), BTVIA – TECNICO EN MANTENIMIENTO AERONAUTICO (TMA) – UNIVERSIDAD DON BOSCO

ASIGNATURA: ELECTRONICA ANALOGICA.

TEMA: TRANSISTORES FETINSTRUCTOR: Sgto.Myr.1° RAÚL RAMIRÉZ RAUDA

PRESENTA: OLIVAR DURÁN, ABEL ANTONIO.
SERVELLÓN ARDÓN, PABLO EDGARDO.

ILOPANGO, 11 DE JULIO DE 2012

INDICE.
INTRODUCCION----------------------------------------------------------3

OBJETIVOS----------------------------------------------------------------4DESARROLLO------------------------------------------------------------5/13

CONCLUSION-------------------------------------------------------------14

BIBLIOGRAFIA-----------------------------------------------------------15

ANEXOS--------------------------------------------------------------------16

Introducción:
El presente trabajo se realizó con la finalidad de motivar a través de la investigación el interés por la materia conociendo así sobrelos tipos de transistores de efecto de campo FET analizando dos tipos los JFET Y MOSFET.

Objetivos.
Objetivo General:
* Abordar el estudio de los transistores de efecto de campo
Objetivos Específicos:
* Comenzar el estudio de este tipo de transistores viendo algunas de las principales analogías y diferencias existentes entre los transistores FET y los BJT.
* Diferenciar entre lostransistores FET y los BJT.

TRANSISTORES DE UNIÓN DE EFECTO DE CAMPO. (JFET)
A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET (Field Effect Transistor) y entre ellos podemos distinguir dos grandes tipos:
Transistor de Efecto de Campo de Unión:
JFET (Junction Field Effect Transistor)
Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor:
MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del camino de conducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre la magnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión).
De forma análoga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los transistores deefecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.
Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que mientras que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos), los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conducción dependerá únicamente de un único tipo deportadores: de los electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p.
Una de las características más importantes de los FETs es su alta impedancia de entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientos de mega ohmios, muy superiores a la que presentan los transistores bipolares que presentan impedancias de entrada del orden de unos pocos kilo ohmios. Estoproporciona a los FET una posición de ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos amplificadores.
Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la señal aplicada, es decir, la variación de la corriente de salida es mayor en los BJT que en los FET para la misma variación de la tensión aplicada. Por ello, típicamente, las ganancias de tensión en alterna que presentanlos amplificadores con BJT son mucho mayores que las correspondientes a los FET.
En general los FET son más estables con la temperatura y, normalmente, más pequeños en construcción que los BJT, lo que les hace particularmente útiles en circuitos integrados (sobre todo los MOSFET).
Una característica importante de los FET es que se pueden comportar como si se tratasen de resistencias o...
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