Transistores fet

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Para que un transistor BJT entre en corte la unión base-emisor debe mantener una polarización inversa e idealmente no existe corriente en el transistor por lo que: V =V
CE ( corte )

IC=0

+IB=0 -

VCE

CC

Cuando la corriente IB aumenta IC también lo hace en un factor de β por lo que VCE disminuye hasta llegar a VCE en este punto IC no puede incrementarse más; VCE es de unos pocosmilivolts.
(sat) (sat)

I C( sat ) =

VCC − VCE( sat ) RC

Compuerta AND

Compuerta OR

Introducción

⎛ R2 ⎞ VGS = VG − VS = ⎜ ⎟ ⎜ R + R ⎟VDD − I D RS 2 ⎠ ⎝ 1

⎛ VGS I D = I DSS⎜1 − ⎜ VP ⎝

⎞ ⎟ ⎟ ⎠

2

Se debe de considerar que la tensión en la fuente del JFET  debe estar a mayor potencial que el de la compuerta para mantener la unión compuerta‐fuente polarizada en inversa

Cálculos

Gráfica

Pruebas
Las pruebas realizadas para el circuito mostrado consistieron en variar Vcc de tal forma que se aprecie el cambio en cada uno de los parámetros más importantes delcircuito.
Vcc (V) 2,009 V 3,007 V 6,03 V 9,03 V 12 V 15,05 V 18,04 V 21,05 V 24,02 V 27,04 V 30,06 V VDS (V) 0,139 V O,248 V 0,980 V 2,293 V 3,648 V 5,04 V 6,41 V 7,78 V 9,13 V 10,49 V 11,85 V VGS(V)-0,544 V -0,785 V -1,215 V -1,149 V -1,026 V -0,914 V -0,737 V -0,683 V -0,570 V -0,462 V -0,355 V Id (A) 0,5 mA 0,7 mA 1,2 mA 1,7 mA 2,1 mA 2,5 mA 2,9 mA 3,3 mA 3,7 mA 4,1 mA 4,5 mA

Posteriormentese conservó a una alimentación fija Vcc= 12V y se varió la resistencia Rs ya que de los cálculos se observa que este parámetro define la pendiente de la recta de carga por lo que al variarla, lacorriente tiene que cambiar con respecto a esta resistencia.

Impedancia de entrada muy alta. Distorsión en la señal y ganancias más bajas.

Q1 (0 V, 0 A) Q2 (-4 V, 3,33 mA)

Así
Vi = VGSq =−2,19V
Vo = − I d (3,3KΩ ) = 14,71V
g mo = 2 I DSS 2(9mA) = = −4,5 x10 −3 S VGS (Off ) − 4V

⎛ VGSq ⎞ − 1⎟ = 2,036 x10 −3 S Y fs = g mo ⎜ ⎜V ⎟ ⎝ GS ( Off ) ⎠

Vo = −6,71 Vi

I d = Y...
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