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Diodos semiconductores
DIODO SHHOTTKY
1. Principio de Funcionamiento del diodo  Shhottky 
El diodo Schottky está constituido por una unión metal-semiconductor (barrera Schottky), en lugar de la unión convencional semiconductor P -semiconductor N utilizada por los diodos normales.
Así se dice que el diodo Schottky es un dispositivo semiconductor "portador mayoritario". Esto significa que, siel cuerpo semiconductor está dopado con impurezas tipo N, solamente los portadores tipo N (electrones móviles) desempeñarán un papel significativo en la operación del diodo y no se realizará la recombinación aleatoria y lenta de portadores tipo N y P que tiene lugar en los diodos rectificadores normales, con lo que la operación del dispositivo será mucho más rápida.
2.       Símbolo,estructura semiconductora indicando los nombres de cada terminal y el sentido de las corrientes y voltajes presentes. Además las curvas características de entrada y de salida.





3. Especifique los requerimientos mínimos y máximos de voltaje y de corriente que estos dispositivos soportan.
El diodo de barrera Schottky tiene una característicatensión-corriente similar a la de un diodo de Silicio común, excepto que la tensión umbral es más baja, del orden de 0.2 V- 0.3 V. Como responde mucho más rápido que un diodo normal tiene gran valor en aplicaciones de conmutación de alta velocidad dado que la capacidad de salida asociada con el diodo es muy pequeña.
En equilibrio térmico la cantidad de electrones que cruzan la barrera desde el metal haciael semiconductor queda balanceada por la cantidad de electrones que cruzan desde el semiconductor hacia el metal, de modo que la corriente neta es cero.
4.       ¿Cuáles son las ventajas y desventajas de estos dispositivos?
Desventajas
El diodo tiene poca capacidad en directo. Esta característica nos permite que sea utilizado como diodo rectificador.
El diodo schottky no acepta grandesvoltajes que lo polaricen inversamente.
El proceso de rectificación también requiere que la tensión que tiene que soportar el diodo sea grande.
Ventajas
Con su tensión de la unión inferior, tienen aplicaciones en los dispositivos que se desean mejorar aproximada un diodo ideal. También se utilizan en conjunción con diodos y transistores normales, donde se utiliza la tensión de la unióninferior para la protección del circuito.
Debido a que uno de los materiales en un diodo Schottky es un metal, los dispositivos de baja resistencia a menudo son posibles. Además, el hecho de que sólo se necesita un tipo de dopante puede simplificar en gran medida la fabricación. Y debido a su mecanismo de conducción de portadores mayoritarios, diodos Schottky pueden lograr mayores velocidades deconmutación que los diodos de unión pn, haciéndolos apropiados para rectificar señales de alta frecuencia.
DIODO VARACTOR
1. Principio de Funcionamiento.
Este diodo, también llamado diodo de capacidad variable, es, en esencia, un diodo semiconductor cuya característica principal es la de obtener una capacidad que depende de la tensión inversa a él aplicada.
2. Símbolo, estructurasemiconductora indicando los nombres de cada terminal y el sentido de las corrientes y voltajes presentes. Además las curvas características de entrada y de salida.










3.       Especifique los requerimientos mínimos y máximos de voltaje y de corriente que estos dispositivos soportan.
La tensión del diodo provoca una disminución de la capacidadequivalente final en los terminales del diodo (a mayor distancia entre placas, menor capacidad final). Por este motivo queda claro el concepto de que la mayor capacidad que puede brindar un diodo de esta naturaleza se encuentra en un punto de baja tensión de alimentación (no cero), mientras que la mínima capacidad final estará determinada por cuánta tensión inversa pueda soportar entre sus...