Bachiller

Introducción:

BJT (Bipolar Junction Transistor)
Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido
de tres terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado deseñal.
El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en
electrónica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades
de manejar potencias y frecuencias elevadas, congran fiabilidad. (No
existe desgaste por partes móviles).
Los transistores son dispositivos activos con características altamente
no lineales.

Efecto Transistor

El transistor es undispositivo cuya resistencia
interna puede variar en función de la señal de entrada. Esta variación
de resistencia provoca que sea capaz de regular la corriente que
circula por el circuito al queestá conectado. (Transfer Resistor).

CONSTITUCION INTERNA DE UN BJT

Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en
sentido opuesto.(Emisor, Base y Colector)En función de la situación de las uniones, existen dos tipos: NPN y PNP.
La unión correspondiente a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la Base-
Colector en inversa. Así, por la uniónBase-Colector circula una corriente
inversa.
En npn, la región de emisor tiene mayor dopaje que la base. Al polarizar la unión Base-Emisor en directa, y la Base-Colector en inversa, loselectrones libres que proceden del emisor llegan a la base, con mucho menor número de huecos, por lo que son atraídos por el colector (con alta concentración de impurezas)
Aunque el transistor poseaúnicamente tres terminales, se puede realizar su estudio como un cuadripolo (dos terminales de entrada y dos de salida) si uno de sus terminales es común a la entrada y salida:
– Base Común.
–Emisor Común.
– Colector Común

Colector común (CC): Aicc elevada; Re muy grande; Rs muy pequeña.

El montaje CC adapta una fuente de alta resistencia de salida a una
carga de bajo valor.