Bjt especificaciones
Páginas: 3 (713 palabras)
Publicado: 12 de marzo de 2012
05/09/2011
BJT (Bipolar Junction Transistor)
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una capa tipo p o de dos capas de materialtipo p y una capa tipo n n.
Transistor de unión bipolar (BJT) BJT)
Electrónica Analógica
Felipe de Jesús Figueroa Del Prado
BJT (Bipolar Junction Transistor)
BJT (Bipolar JunctionTransistor)
Transistor de unión bipolar El término bipolar refleja el hecho de que huecos y q electrones participan en el proceso de inyección hacia el material opuestamente polarizado.
Transistor deunión bipolar
E. Emisor Esta capa está muy dopada C. Colector Esta capa está un poco dopada B. Base Esta capa esta ligeramente dopada
BJT (Bipolar Junction Transistor)
BJT (Bipolar JunctionTransistor)
Configuración base común n
Configuraciones
• Base común •E i Emisor común** ú ** • Colector común
1
05/09/2011
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Configuración base común nBJT (Bipolar Junction Transistor)
Configuración base común n Configuración base común n
Los parámetros de entrada o punto de excitación es aquel que relaciona la corriente de entrada (IE) con unvoltaje de entrada (VBE) para distintos niveles de voltaje de salida (VCB).
Los parámetros de entrada.
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Configuración base común n
BJT (Bipolar JunctionTransistor)
• Región activa • Región de corte • Región de saturación
Región de satur ración
El conjunto de características de salida o del colector cuenta con tres regiones:
Características desalida
Región activa
Región de corte
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Configuración base común n
Región activa En la región activa la unión base-emisor se polariza en directa, en tanto quela unión colector-base se polariza en inversa.
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Configuración base común n
Región de corte Se define como aquella donde la corriente en el colector es de 0 A....
BJT (Bipolar Junction Transistor)
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una capa tipo p o de dos capas de materialtipo p y una capa tipo n n.
Transistor de unión bipolar (BJT) BJT)
Electrónica Analógica
Felipe de Jesús Figueroa Del Prado
BJT (Bipolar Junction Transistor)
BJT (Bipolar JunctionTransistor)
Transistor de unión bipolar El término bipolar refleja el hecho de que huecos y q electrones participan en el proceso de inyección hacia el material opuestamente polarizado.
Transistor deunión bipolar
E. Emisor Esta capa está muy dopada C. Colector Esta capa está un poco dopada B. Base Esta capa esta ligeramente dopada
BJT (Bipolar Junction Transistor)
BJT (Bipolar JunctionTransistor)
Configuración base común n
Configuraciones
• Base común •E i Emisor común** ú ** • Colector común
1
05/09/2011
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Configuración base común nBJT (Bipolar Junction Transistor)
Configuración base común n Configuración base común n
Los parámetros de entrada o punto de excitación es aquel que relaciona la corriente de entrada (IE) con unvoltaje de entrada (VBE) para distintos niveles de voltaje de salida (VCB).
Los parámetros de entrada.
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Configuración base común n
BJT (Bipolar JunctionTransistor)
• Región activa • Región de corte • Región de saturación
Región de satur ración
El conjunto de características de salida o del colector cuenta con tres regiones:
Características desalida
Región activa
Región de corte
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Configuración base común n
Región activa En la región activa la unión base-emisor se polariza en directa, en tanto quela unión colector-base se polariza en inversa.
BJT (Bipolar Junction Transistor)
Configuración base común n
Región de corte Se define como aquella donde la corriente en el colector es de 0 A....
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