Capitulo 5

Páginas: 3 (650 palabras) Publicado: 26 de noviembre de 2014

Guía Capitulo 5
5.1¿Cuáles son las propiedades clave de las memorias semiconductoras?
Presentan dos estados estables (o semiestables), que pueden emplearse para representar el 1 y el 0 binarios.Puede escribirse en ellas (al menos una vez) para fijar su estado.
Puede leerse para detectar su estado.
5.2 ¿Cuáles de los dos significados se está empleando para el término memoria de accesoaleatorio?
Las palabras individuales de la memoria son accedidas directamente mediante lógica de direccionamiento cableada interna, es posible tanto leer como escribir rápidamente datosnuevos en ellas, esto por señales eléctricas y son de carácter volátil.
5.3 ¿Qué diferencia hay en cuanto a aplicaciones, entre DRAM Y SRAM?
Las SRAM son más rápidas se utiliza como caché & la DRAM comomemoria principal.

5.4 ¿Qué diferencia hay entre DRAM Y SRAM en características en cuanto velocidad,
tamaño y costo?

Las DRAM son más pequeñas las celdas y más económicas que lasSRAM.
Tanto las RAM estáticas como las dinámicas son volátiles.
Una celda de memoria RAM dinámica es más simple que una estática y en consecuencia más pequeña.
Por tanto las DRAM dinámicas son másdensas (celdas más pequeñas = más celadas por unidad de superficie) y más económicas que las correspondientes SRAM. Por otra parte una DRAM requiere de circuitería para realizar el refresco.
En memoriasgrandes el coste fijo de la circuitería de refresco se ve más que compensado por el menor coste de las celdas DRAM.
Así pues las DRAM tienden a ser las preferidas para memorias grandes. Un últimodetalle es que las SRAM son generalmente algo más rápidas que las dinámicas.
5.5. Explique porque uno de los tipos de RAM se considera analógico y el otro digital.
La SRAM es un dispositivo digital yaque está basado en los mismos elementos que se usan en el procesador ya que los valores binarios se almacenan utilizando configuraciones de puertas que forman biestables. La DRAM es un dispositivo...
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