Concepto y evolucion de la luz

GUIA DE ESTUDIO DE FISICA MODERNA II
21.-Cuando es que un circuito RLC serie es alimentado por C.A. esta en resonancia.
Como se puede ver los valores de estas reactancias depende de la frecuenciade la fuente. A mayor frecuencia, XL es mayor, pero XC es menor y viceversa. Hay una frecuencia para la cual el valor de la XC y XL son iguales. Esta frecuencia se llama frecuencia de resonancia y seobtiene de la siguiente fórmula: FR = 1 / (2 x π x (L x C)1/2) En resonancia como los valores de XC y XL son iguales, se cancelan y en un circuito RLC en serie la impedancia que ve la fuente es elvalor de la resistencia. A frecuencias menores a la de resonancia, el valor de la reactancia capacitiva es grande y la impedancia es capacitiva
22.-Cuantos electrones tiene en el último nivel unconductor, aislador, y un semiconductor.

23.-Cuales son los dos de los elementos más usados en la industria electrónica.
El silicio y el germanio.
24.-En que consiste el proceso de dopado.
En laproducción de semiconductores, se denomina dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedadeseléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A los semiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos. Un semiconductor altamentedopado que actúa más como un conductor que como un semiconductor es llamado degenerado.
25.-Escribe tres elementos usados como donadores tipo n y tres tipo p.
TIPO N: Antimonio, Fosforo y Arsénico.TIPO P: Boro, Aluminio y Galio.
26.-Como está formado un semiconductor tipo N y tipo P.
Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, añadiendo un cierto tipo deátomos al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).
Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado añadiendo...