Construccion de fototransistor
Páginas: 4 (877 palabras)
Publicado: 9 de noviembre de 2010
Fototransistor
Un fototransistor es una combinación integrada de fotodiodo y transitor bipolar npn (sensible a la luz) donde la base recibe la radiación óptica. Es una de las combinaciones fotodiodoamplificador más simples. Dirigiendo una fuente de luz hacia la unión PN polarizada en sentido inverso (colector-base), se genera una corriente de base, que es amplificada por la ganancia decorriente del transistor.
Figura 1
Esquema de un fototransistor
CONSTRUCCION DE LOS FOTOTRANSISTORES
Los fototransistores se construyen con silicio o germanio, similarmente a cualquier tipo detransistor bipolar. Existen tanto fototransistores NPN como PNP. Debido a que la radiación es la que dispara la base del transistor, y no una corriente aplicada eléctricamente, usualmente la patillacorrespondiente a la base no se incluye en el transistor. El método de construcción es el de difusión. Este consiste en que se utiliza silicio o germanio, así como gases, impurezas o dopantes. Por medio dela difusión, los gases dopantes penetran la superficie sólida del silicio. Sobre una superficie sobre la cual ya ha ocurrido la difusión, se pueden realizar difusiones posteriores, creando capas dedopantes en el material. La parte exterior del fototransistor está hecha de un material llamado epoxy, que es una resina que permite el ingreso de radiación hacia la base del transistor.
Figura2construcción de un fototransistor
FOTOTRANSISTORES
Es importante anotar que todos los transistores son sensibles a la luz, pero los
fototransistores están diseñados para aprovechar esta característica.Existen
transistores FET (de efecto de campo), que son muy sensibles a la luz, pero
encontramos que la mayoría de los fototransistores consisten en una unión npn con
una región de base amplia yexpuesta, como se muestra en la figura :
EL DIODO LÁSER.
El diodo láser (LD) tiene una estructura muy similar al diodo LED. La diferencia básica
radica en que: la emisión del LD es siempre de...
Un fototransistor es una combinación integrada de fotodiodo y transitor bipolar npn (sensible a la luz) donde la base recibe la radiación óptica. Es una de las combinaciones fotodiodoamplificador más simples. Dirigiendo una fuente de luz hacia la unión PN polarizada en sentido inverso (colector-base), se genera una corriente de base, que es amplificada por la ganancia decorriente del transistor.
Figura 1
Esquema de un fototransistor
CONSTRUCCION DE LOS FOTOTRANSISTORES
Los fototransistores se construyen con silicio o germanio, similarmente a cualquier tipo detransistor bipolar. Existen tanto fototransistores NPN como PNP. Debido a que la radiación es la que dispara la base del transistor, y no una corriente aplicada eléctricamente, usualmente la patillacorrespondiente a la base no se incluye en el transistor. El método de construcción es el de difusión. Este consiste en que se utiliza silicio o germanio, así como gases, impurezas o dopantes. Por medio dela difusión, los gases dopantes penetran la superficie sólida del silicio. Sobre una superficie sobre la cual ya ha ocurrido la difusión, se pueden realizar difusiones posteriores, creando capas dedopantes en el material. La parte exterior del fototransistor está hecha de un material llamado epoxy, que es una resina que permite el ingreso de radiación hacia la base del transistor.
Figura2construcción de un fototransistor
FOTOTRANSISTORES
Es importante anotar que todos los transistores son sensibles a la luz, pero los
fototransistores están diseñados para aprovechar esta característica.Existen
transistores FET (de efecto de campo), que son muy sensibles a la luz, pero
encontramos que la mayoría de los fototransistores consisten en una unión npn con
una región de base amplia yexpuesta, como se muestra en la figura :
EL DIODO LÁSER.
El diodo láser (LD) tiene una estructura muy similar al diodo LED. La diferencia básica
radica en que: la emisión del LD es siempre de...
Leer documento completo
Regístrate para leer el documento completo.