Fototransistor
Páginas: 3 (631 palabras)
Publicado: 8 de noviembre de 2010
Fototransistores
Es importante decir que todos los transistores son sensibles a la luz, pero los fototransitores están diseñados para aprovechar esta característica. Existen transistores FET (deefecto de campo), que son muy sensibles a la luz, pero encontramos que la mayoría de los fototransistores consisten en una unión npn con una región de base amplia y expuesta, como se muestra en la figura:
El funcionamiento de un fototransistor es el siguiente:
Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la base del mismo, generando huecos y con ello una corriente debase que hace que el transistor entre en la region activa, y se presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso, reemplazan la corriente de base que normalmente seaplica eléctricamente. Es por este motivo que a menudo el terminal correspondiente a la base está ausente del transistor. La característica más sobresaliente de un fototransistor es que permite detectarluz y amplificar mediante el uso de un sólo dispositivo.
Construcción de los fototransistores
Los fototransistores se construyen con silicio o germanio, similarmente a cualquier tipo de transistorbipolar. Existen fototransistores NPN como PNP. Debido a que la radiación es la que dispara la base del transistor, y no una corriente aplicada eléctricamente, usualmente el terminal correspondiente ala base no se incluye en el transistor. El método de construcción es el de difusión. Este consiste en que se utiliza silicio o germanio, así como gases como impurezas o dopantes. Por medio de ladifusión, los gases dopantes penetran la superficie sólida del silicio. Sobre una superficie sobre la cual ya ha ocurrido la difusión, se pueden realizar difusiones posteriores, creando capas de dopantesen el material. La parte exterior del fototransistor está hecha de un material llamado epoxy, que es una resina que permite el ingreso de radiación hacia la base del transistor
Aplicaciones de los...
Es importante decir que todos los transistores son sensibles a la luz, pero los fototransitores están diseñados para aprovechar esta característica. Existen transistores FET (deefecto de campo), que son muy sensibles a la luz, pero encontramos que la mayoría de los fototransistores consisten en una unión npn con una región de base amplia y expuesta, como se muestra en la figura:
El funcionamiento de un fototransistor es el siguiente:
Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la base del mismo, generando huecos y con ello una corriente debase que hace que el transistor entre en la region activa, y se presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso, reemplazan la corriente de base que normalmente seaplica eléctricamente. Es por este motivo que a menudo el terminal correspondiente a la base está ausente del transistor. La característica más sobresaliente de un fototransistor es que permite detectarluz y amplificar mediante el uso de un sólo dispositivo.
Construcción de los fototransistores
Los fototransistores se construyen con silicio o germanio, similarmente a cualquier tipo de transistorbipolar. Existen fototransistores NPN como PNP. Debido a que la radiación es la que dispara la base del transistor, y no una corriente aplicada eléctricamente, usualmente el terminal correspondiente ala base no se incluye en el transistor. El método de construcción es el de difusión. Este consiste en que se utiliza silicio o germanio, así como gases como impurezas o dopantes. Por medio de ladifusión, los gases dopantes penetran la superficie sólida del silicio. Sobre una superficie sobre la cual ya ha ocurrido la difusión, se pueden realizar difusiones posteriores, creando capas de dopantesen el material. La parte exterior del fototransistor está hecha de un material llamado epoxy, que es una resina que permite el ingreso de radiación hacia la base del transistor
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