Control de temperatura yoel

Dispositivos de disparo
Original de: Universidad de Jaén Escuela Politécnica Superior Autor: Juan Domingo Aguilar Peña Autorizado para: http://www.redeya.com

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1.1

INTRODUCCIÓN

A ciertos niveles, para disparar el tiristor y el triac se necesitan dispositivos intermedios entre la señal de disparo y la puerta. Para estudiarlos utilizaremos: − VS = Tensión dedisparo. − VH = Tensión de mantenimiento. − VR = Tensión inversa. − V0 = Tensión de pico de los impulsos. − IH = Corriente de mantenimiento. − IS = Corriente en el momento del disparo.

1.2

DIAC: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS

• Diac (Diode Alternative Current): dispositivo bidireccional simétrico (sin polaridad) con dos electrodos principales, MT1 y MT2, y ninguno de control (Fig.1.a). • Suestructura es la representada en la figura 1.b. • En la curva característica tensión-corriente (Fig. 1.c) se observa que: − V(+ ó −) < VS ⇒ el elemento se comporta como un circuito abierto. − V(+ ó −) > VS ⇒ el elemento se comporta como un cortocircuito. • Se utilizan para disparar esencialmente a los triacs.
I(+) N1 V(-) VS IB 10 mA IS IS 10 mA ∆Vc) I(-) IB VS V(+) ∆V+

MT1 MT1 P1

N2 MT2N3 MT2 a) b) P2

Fig.1.- a) Símbolo del diac b) Estructura c) Curva característica.

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1.3

CONMUTADOR UNILATERAL DE SILICIO (SUS)

• SUS (Silicon Unilateral Switch): combinación de un tirirstor con puerta anódica y un diodo Zener entrepuerta y cátodo. • En la figura 2 se representa el símbolo, circuito equivalente y la curva característica. • Se usa para el disparo de tiristores. Su principal parámetro es VS ≈ 6 y 10 V. • Se dispara a una tensión fija, Vzener , y su corriente IS está muy cercana a IH . • Sincronización mediante impulsos en puerta del SUS.
IF A G VR K K A

G

IH IS IRVH VF VS

Fig.2.- Símbolo, circuitoequivalente, y curva característica de un SUS.

1.4

CONMUTADOR BILATERAL DE SILICIO (SBS)

• SBS (Silicon Bilateral Switch): de respuesta equivalente a la de un diac, equivale a dos SUS conectados en antiparalelo. • En la figura 3 se representa el símbolo, circuito equivalente y la curva característica. • Se usan normalmente para el disparo de triacs. Su principal parámetro es VS (entre 6 y10 V) en ambos sentidos. • Especificaciones idénticas a las del SUS a excepción de VR que pierde todo significado.
+I VF1 MT2 MT2 IB2 G G -V IS2 MT1 MT1 VF2 -I VS2 IH2 IB1 IH1 IS1 +V VS1

Fig.3.- Símbolo, circuito equivalente, y curva característica de un SBS. ____________________________________________________________

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1.5

TRANSISTOR UNIUNIÓN (UJT)

1.5.1 PARÁMETROS DEL UJT
• UJT (Uni-Juntion Transistor): transistor formado por una resistencia de silicio (de 4 a 9 KΩ) tipo N con tres terminales, dos bases, B1 y B2, y un emisor (unión NP). • En la figura 4 se representa el símbolo, estructura y curva característica.

B2 B2 E E P N B1 B1 P

VEB1 Negative Resistance Region SaturationRegion VP Peak Point Cutoff VB2B1=K Region Valley Point VEB1(sat) VV IB2=0 IE IV IP

Fig.4.- Símbolo, estructura, y curva característica de un UJT. • El circuito equivalente del UJT es el representado en la figura 5, para su estudio definimos: − VBB : Tensión interbase. − rBB : Resistencia interbase ⇒ rBB = rB1 + rB2 − VE : Tensión de emisor. − IE : Intensidad de emisor. − VB2 : Tensión en B2, (de5 a 30 V para el UJT polarizado). − VP : Tensión de disparo⇒ VP = VrB1 + VD − − − − IP VV IV VD : Intensidad de pico (de 20 a 30 µA.). : Tensión de valle de emisor : Intensidad valle del emisor. : Tensión directa de saturación del diodo emisor (de 0,5 y 0,7 V). rB1 : Relación intrínseca (de 0,5 a 0,8) ⇒ µ = rB1 + rB2
B1 rB2 E VEE rB1 B1 VBB

− µ

Fig.5.- Circuito equivalente del UJT....