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Transistores
de efecto de campo

El transistor de efecto de campo (FET) (por las siglas en inglb de Field Effect Transistor) es
un dispositivo de tres terminales que se utiliza para aplicaciones diversas que se asemejan, en una gran proporcion. a las del transistor BJT descrito en 10s capitulos 3 y 4. Aunque enisten importantes diferencias entre los dos tipos de dispositivos,tarnbiines cierto que tienen muchas similitudes que se presentaran a continuacion.
La diferencia bisica entre los dos tipos de transistores es el hecho de que el transistor BJT
es un dispositivo controlado por corrienre como se describe en la figura 5.1 a. mientras que el
transistor JFET es un dispositivo controladopor voltaje como se muestra en la figura 5 .lb. En otras palabras. la conientelc de la figura 5.la es una funcion directa del nivel de 1,. Para el FET la comente I,, sera una funcih del voltaje VG, aplicado al circuito de entrada corno se muestra en la figura 5.lb. En cada caso, la coniente del circuito de salida esta controlado par
un parametro del circuito de entrada, en un caso se trata de un nivel de comente y en el otro
de un voltaje aplicado.F i n 5.1 Amplificadores controlados por a) corriente y
(a) (b) b) voltaje.

De la misma manera que existen transistores bipolares npn y pnp, hay transistores de efecto de campo de canal-n y canal-p. Sin embargo, es importante considerar que el transistor BJT es un dispositivobipolar; el prefijo bi indica que el nivel de conduccion es una funcian de dos ponadores de carga, 10s electrones y 10s huecos. El FET es un dispositivo unipolar que depende linicamente de la conduccion o bien, de electrones (canal-n) o de huecos (canal-p).
El tinnino "efecto de campo" en el nornbre seleccionado merece cierta explicacian. Toda
la gente conoce la capacidad de un imanpermanente para atraer limaduras de metal hacia el iman sin la necesidad de un contact0 real. El campo magnitico del iman permanente envuelve las limaduras y las atrae a1 imin por media de un esfuerzo par pme de las lineas de flujo magnetic0 con objeto de que sean lo mas conas posibles. Para el FET un campo el2ctrico se

Los doctores Ian Munro Ross y G.C. Dacey desarrollaronjuntos en 1955 unprocedimiento experimental para
medir las caracteristicas de un transistor de efecto de campo. (Cortesia de AT&TArchives.)

Ian Munro Ross
El doctor Ross naci6 en
Southport,lnglaterra
PhD Gonville and
Caius College, Cambridge University Presidente ernerito de AT&TBell Labs
Socio de IEEE. Miembro de la
National Science Board Presidente del NationalAdvisory Committee
on Semiconductors

G. C. Dacey
El doctor Dacey nacio en
Chicago, Illinois
PhD CaliforniaInstitute of
Technology
establece mediante las cargas presentes que controlarin la trayectoria de conducci6n del cir- cuito de salida, sin la necesidad de un contacto directo entre las cantidades controladoras y controladas.
Existe una tendencianatural cuando se presenta un segundo dispositivo con un rango de aplicaciones similar a uno que se dio a conocer previamente, para comparar al.gunas de las
caractensticas generales de cada uno. Uno de 10s rasgos mas importantes del FET es una gran
impedancia de entrada. A un nivel desde 1 a varios cientos de megaohms excee por mucho
10s niveles tipicos de resistencia de entrada de lasconfiguraciones con transistor BJT, un punto muy importante en el disefio de amplificadores lineales de ac. Por otro lado, el transistor BIT tiene una sensibilidad mucho mis alta a 10s cambios en la seiial aplicada; es decir, la variation
en la comente de salida es obviamente mucho mayor para el BJT, que la que produce en el FET
para el mismo cambio de voltaje aplicado. Poresta razon, las ganancias...
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