definicones

Definición de Impurificación:
La impurificación de cristales es de total necesidad en Electrónica. En muchos casos el dopaje se realiza a la vez del crecimiento (del lingote o crecimiento epitaxia)impurificación uniforme de la oblea (aunque no del lingote). Además, en el curso de la fabricación de dispositivos es necesario introducir nuevas impurezas para modificar las propiedadeselectrónicas.
Con que otro nombre se le conoce a la impurificación:
Con el nombre de Ley de Fick.
Que es un cristal semiconductor tipo “N”:
Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas quepermiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco, como el Arsénico yel Fósforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad eléctrica, ya que el átomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrón no ligado, a diferencia de los átomos que conformanla estructura original, por lo que la energía necesaria para separarlo del átomo será menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio (o del semiconductor original
Elsiguiente es un ejemplo de dopaje de Silicio por el Fósforo (dopaje N). En el caso del Fósforo, se dona un electrón.

Que es un cristal semiconductor tipo “P”:
Se llama así al material que tiene átomos deimpurezas que permiten la formación de huecos sin que aparezcan electrones asociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los átomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan"o toman un electrón. Suelen ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el átomo introducido es neutro, por lo que no modificará la neutralidad eléctrica del cristal, perodebido a que solo tiene tres electrones en su última capa de valencia, aparecerá una ligadura rota, que tenderá a tomar electrones de los átomos próximos, generando finalmente más huecos que...