Diodo
Páginas: 2 (345 palabras)
Publicado: 8 de febrero de 2012
Cual es el principio de operación del diodo?
R: El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta deelectrones).
Cuando una tensión positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a través del material P mas alláde los límites del semiconductor.
De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensión negativa al lado del material N y los huecos fluyen a través del material N.
En elcaso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. En estecaso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente.
Que representa el voltaje del diodo?
R: Un diodo tiene diferentes parámetros de voltajes.
En bloqueotenemos:
Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensión inversa depico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportadauna sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.
Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características delmismo.
Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.
Y en Conducción aparece el voltaje de barrera (VF). Esta barrera o unión es de 0.3 voltiosen el germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.
Mencione las aplicaciones más importantes del diodo
R:
Mencione la diferencia entre un 1N4003,1N4148 y un LED
R:
R: El semiconductor tipo N tiene electrones libres (exceso de electrones) y el semiconductor tipo P tiene huecos libres (ausencia o falta deelectrones).
Cuando una tensión positiva se aplica al lado P y una negativa al lado N, los electrones en el lado N son empujados al lado P y los electrones fluyen a través del material P mas alláde los límites del semiconductor.
De igual manera los huecos en el material P son empujados con una tensión negativa al lado del material N y los huecos fluyen a través del material N.
En elcaso opuesto, cuando una tensión positiva se aplica al lado N y una negativa al lado P, los electrones en el lado N son empujados al lado N y los huecos del lado P son empujados al lado P. En estecaso los electrones en el semiconductor no se mueven y en consecuencia no hay corriente.
Que representa el voltaje del diodo?
R: Un diodo tiene diferentes parámetros de voltajes.
En bloqueotenemos:
Tensión inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensión inversa depico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms, repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensión inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportadauna sola vez durante 10ms cada 10 minutos o más.
Tensión de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo puede destruirse o degradar las características delmismo.
Tensión inversa contínua (VR): es la tensión continua que soporta el diodo en estado de bloqueo.
Y en Conducción aparece el voltaje de barrera (VF). Esta barrera o unión es de 0.3 voltiosen el germanio y de 0.6 voltios aproximadamente en el diodo de silicio.
Mencione las aplicaciones más importantes del diodo
R:
Mencione la diferencia entre un 1N4003,1N4148 y un LED
R:
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