REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DE LA FUERZA ARMADA
UNEFA- NÚCLEO ARAGUA, SEDE MARACAY
DPTO. DE INGENIERÍA ENTELECOMUNICACIONES

Practica N°6
POSTLABORATORIO

DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR.

BACHILLERES:

Damian Vicent
Esteban Silva

Sección TED601.

Maracay, Febrero de 2010MARCO TEÓRICO.

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son,respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segúncorresponda.
La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la región delemisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso,otorgarle al transistor un gran β.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simétrico. Esto significa que intercambiando el colector y elemisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor está usualmente optimizada para funcionar en modoactivo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en modo activo; muchas veces el valor de α en modoinverso es menor a 0.5. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor está altamente dopado, mientras que el colector está ligeramente... [continua]

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(2010, 02). Diseño de un amplificador bjt. BuenasTareas.com. Recuperado 02, 2010, de http://www.buenastareas.com/ensayos/Dise%C3%B1o-De-Un-Amplificador-Bjt/133773.html

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"Diseño de un amplificador bjt" BuenasTareas.com. 02 2010. 2010. 02 2010 <http://www.buenastareas.com/ensayos/Dise%C3%B1o-De-Un-Amplificador-Bjt/133773.html>.

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CHICAGO

"Diseño de un amplificador bjt." BuenasTareas.com. 02, 2010. consultado el 02, 2010. http://www.buenastareas.com/ensayos/Dise%C3%B1o-De-Un-Amplificador-Bjt/133773.html.