REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
MINISTERIO DEL PODER POPULAR PARA LA DEFENSA
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL DE LA FUERZA ARMADA
UNEFA- NÚCLEO ARAGUA, SEDE MARACAY
DPTO. DE INGENIERÍA EN TELECOMUNICACIONESPractica N°6
POSTLABORATORIO

DISEÑO DE UN AMPLIFICADOR.

BACHILLERES:

Damian Vicent
Esteban Silva

Sección TED601.

Maracay, Febrero de 2010

MARCO TEÓRICO.

Un transistor de unión bipolarconsiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en untransistor NPN. Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y estácompuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de ser colectados, loque hace que el valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran β.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivosimétrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor estáusualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de α y β en modo inverso sean mucho más pequeños que los que se podrían obtener en modo activo; muchas veces elvalor de α en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor está altamente dopado, mientras que el colector está [continua]

Leer Ensayo Completo

Cite este ensayo

APA

(2010, 02). Diseño de un amplificador bjt. BuenasTareas.com. Recuperado 02, 2010, de http://www.buenastareas.com/ensayos/Dise%C3%B1o-De-Un-Amplificador-Bjt/133773.html

MLA

"Diseño de un amplificador bjt" BuenasTareas.com. 02 2010. 2010. 02 2010 <http://www.buenastareas.com/ensayos/Dise%C3%B1o-De-Un-Amplificador-Bjt/133773.html>.

MLA 7

"Diseño de un amplificador bjt." BuenasTareas.com. BuenasTareas.com, 02 2010. Web. 02 2010. <http://www.buenastareas.com/ensayos/Dise%C3%B1o-De-Un-Amplificador-Bjt/133773.html>.

CHICAGO

"Diseño de un amplificador bjt." BuenasTareas.com. 02, 2010. consultado el 02, 2010. http://www.buenastareas.com/ensayos/Dise%C3%B1o-De-Un-Amplificador-Bjt/133773.html.