Transistores Bjt Y Amplificadores Transistorizados

Laboratorio 2: Transistores BJT y amplificadores transistorizados
Alexis Angulo Letelier, José Daza Sepúlveda, Henry Varas Universidad de Talca, Facultad de Ingeniería, Ingeniería en Mecatrónica aangulo@alumnos.utalca.cl, jdazas@alumnos.utalca.cl, hvaras@alumnos.utalca.cl

Resumen-Al trabajar con transistores BJT se pueden utilizar varias configuraciones para obtener amplificadorestransistorizados. Además está la posibilidad de diseñar cada uno de los componentes de estas configuraciones, con el objetivo de cumplir exigencias impuestas a través de su futura aplicación.
José Daza Sepúlveda

II. RESULTADOS OBTENIDOS A. Características de Operación de un transistor BJT Para lograr entender mejor el comportamiento del transistor es bueno experimentar y analizar los resultados. La mejorforma de ver las características de operación del transistor BC337 es someterlo a pruebas. Estas consisten en variar la corriente en la base, por medio de una resistencia y una fuente. Una vez fijada la corriente, se hace variar el voltaje colector-emisor y se registra la corriente en el colector. Después de realizar varias mediciones se gráfica la corriente en el colector y el voltajecolector-emisor. Esto arroja las curvas características de operación del transistor y además se puede deducir β. Las corrientes que se fijan en la base en esta oportunidad se muestran en la Fig. 3 y junto a ellas el color de cada curva característica que produjo esa corriente en la base (Las tablas obtenidas para cada corriente se adjuntan en el reverso del informe). Además, en la Fig. 3 se distinguenclaramente las distintas regiones del transistor.

I.

INTRODUCCIÓN

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. Al primero se le llama transistor npn, en tanto la otra configuración se le denomina transistor pnp [1].

Fig. 1. Configuración del transistor pnp yel transistor npn.

En esta oportunidad se utilizará el transistor npn BC337. Es bueno entender su polarización para no cometer errores en el cálculo y procedimiento experimental. En la Fig. 1 se muestra como es su polarización.

Fig. 3. En este gráfico se muestran las curvas características del transistor BC337.

Fig. 2. Polarización del transistor BC337. José Daza Sepúlveda

Ahora, de laFig. 3 se puede obtener el β del transistor BC337 con una técnica simple. En la Fig. 4 se muestra el punto Q que se escogió para obtener β. Se pueden presentar dos situaciones para escoger β, una es en ca y otra en cd. Aunque estos valores no son exactamente iguales, se encuentra razonablemente cercanos y a menudo se pueden utilizar indistintamente [1]. Para tener certeza, se calculará y . Paracon el punto ya escogido y además que esté en la región lineal de operación, se tira una recta en el gráfico desde el voltaje

donde se encuentra el punto Q (4 V). En la Fig. 4 se aprecia que esta recta intercepta a tres curvas características, se escogen dos se encuentran sus respectivas imágenes en el eje de la corriente del colector. Luego se determina que

La primera relación a encontrar esla ganancia de tensión. Esta se define por [2] (3) Para encontrar esta ganancia adimensional, la cual ayuda mucho en la solución de los demás componentes del circuito, se da en este caso una relación entre los voltajes de salida y entrada (4) Por lo tanto al sustituir (4) en (3) (5) Además al utilizar la ecuación para encontrar la ganancia de tensión [2] (6) Para la resolución del problema hayque tomar otra consideración, que si se pude expresar (6) de una forma corta (7). Esto hay que comprobarlo posterior a los cálculos para ver si la relación se cumple. (7) Con (7) al despejar se encuentra (8) Ahora ya se puede comprobar si el reducir (6) fue una decisión correcta. Primero se busca el valor de resultando que [2]
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(1)

Fig. 4. Gráfico en que se muestra marcado el punto...