Dispositivos de entrada y salida

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|[pic] | |
| |UNIVERSIDAD NACIONALAUTONOMA DE MEXICO |
| |FACULTAD DE INGENIERIA|
| |LAB. DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO Y DE E/S |
||PREVIO #4 MEMORIAS DE LECTURA-ESCRITURA SEMICONDUCTORAS |
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1- Explique la diferencia entre una memoria de acceso secuencial (SAM) y una memoria de acceso aleatorio (RAM).

Memoria de Acceso Secuencial (SAM)    Tipo de memoria en el cual el tiempo de acceso no es constante, sino que varía según la localidad de la dirección.
Memoria de Acceso Aleatorio (RAM)
    Memoria en la cual la localizaciónfísica real de una palabra de la memoria no tiene efecto sobre el tiempo que tarde en leer de esa localidad o bien escribir en ella.

2- Explique la diferencia entre una memoria RAM Estática (SRAM) y unamemoria RAM Dinámica (DRAM).

Dinámica RAM, un tipo de memoria de gran capacidad pero que precisa ser constantemente refrescada (re-energizada) o perdería su contenido. Generalmente usa untransistor y un condensador para representar un bit Los condensadores debe de ser energizados cientos de veces por segundo para mantener las cargas. A diferencia de los chips firmware (ROMs, PROMs, etc.) lasdos principales variaciones de RAM (dinámica y estática) pierden su contenido cuando se desconectan de la alimentación.

La memoria de acceso estático se tiene que es más rápida y tiene un costo...
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