El transistor. laboratorio de física
Páginas: 3 (616 palabras)
Publicado: 1 de noviembre de 2011
EL TRANSISTOR
DE UNIÓN
e
e
Grupo 3L
Objetivo de la práctica :
El objetivo de esta práctica es el estudio experimental de un transistor de unión bipolar “npn” de silicio,mediante el cálculo de la ganancia de voltaje del colector en relación con la intensidad de la base. También se representarán las curvas que relacionan las intensidades de los elementos que forman losenlaces “pn”, y la tensión entre dichos elementos.
Fundamento teórico :
El transistor de unión bipolar está formado por tres elementos semiconductores, que serán respectivamente el emisor, la basey el colector. El emisor y el colector, los cuales están situados en los extremos del transistor, están fuertemente dopados de impurezas, sobre todo el emisor, y la base ocupa una franja muy estrechacomparada con los otros dos elementos.
La unión entre el emisor y la base se realiza en sentido directo, es decir, conectando la región p al polo positivo y la región n al negativo; mientras que launión entre base y colector se realiza al revés, en sentido inverso.
Así, la resistencia será mucho mayor cuando los electrones circulen desde la base al colector que cuando lo hagan del emisor ala base, produciendo una ganancia de potencial, y por tanto el transistor se comporta como amplificador de la tensión.
Al estar el emisor más dopado que los demás elementos, la corriente que circulaserá de electrones, de los cuales la mayoría atraviesan la región de la base, y unos pocos se combinan en ella neutralizándose con las cargas positivas. Los electrones que atraviesan la región debase se acumulan en el colector ya que, al estar polarizada en sentido inverso la unión del colector con la base, el campo eléctrico que les hace circular es incluso más intenso.
La ganancia deintensidad desde la base hasta el colector viene dada por :
= I c / I b
Método experimental utilizado :
1) Curva característica de entrada
Lo primero que debemos hacer será...
DE UNIÓN
e
e
Grupo 3L
Objetivo de la práctica :
El objetivo de esta práctica es el estudio experimental de un transistor de unión bipolar “npn” de silicio,mediante el cálculo de la ganancia de voltaje del colector en relación con la intensidad de la base. También se representarán las curvas que relacionan las intensidades de los elementos que forman losenlaces “pn”, y la tensión entre dichos elementos.
Fundamento teórico :
El transistor de unión bipolar está formado por tres elementos semiconductores, que serán respectivamente el emisor, la basey el colector. El emisor y el colector, los cuales están situados en los extremos del transistor, están fuertemente dopados de impurezas, sobre todo el emisor, y la base ocupa una franja muy estrechacomparada con los otros dos elementos.
La unión entre el emisor y la base se realiza en sentido directo, es decir, conectando la región p al polo positivo y la región n al negativo; mientras que launión entre base y colector se realiza al revés, en sentido inverso.
Así, la resistencia será mucho mayor cuando los electrones circulen desde la base al colector que cuando lo hagan del emisor ala base, produciendo una ganancia de potencial, y por tanto el transistor se comporta como amplificador de la tensión.
Al estar el emisor más dopado que los demás elementos, la corriente que circulaserá de electrones, de los cuales la mayoría atraviesan la región de la base, y unos pocos se combinan en ella neutralizándose con las cargas positivas. Los electrones que atraviesan la región debase se acumulan en el colector ya que, al estar polarizada en sentido inverso la unión del colector con la base, el campo eléctrico que les hace circular es incluso más intenso.
La ganancia deintensidad desde la base hasta el colector viene dada por :
= I c / I b
Método experimental utilizado :
1) Curva característica de entrada
Lo primero que debemos hacer será...
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