Transistores en la electronica digital
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Índice
1. Introducción. 2. Transistor bipolar NPN. 3. Transistor bipolar. 4. Transistor JFET. 5. Transistor MOSFET. 9. Conclusión
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6.Circuitos integrados TTL. 7. Circuitos integrados, CI’s. 8. Aplicaciones. 8.1. Aplicaciones específicas. 8.2. Aplicaciones genéricas.
1. Introducción
NPN Bipolares PNP Canal N Transistores FETMOSFET Canal P JFET Canal P Canal N
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1. Introducción
• Existen dos grupos importantes de transistores donde cada uno contiene otros subgrupos y así sucesivamente
– Grupo 1: Bipolares, BJT“Bipolar Junction Transistors”. – Grupo 2: Efecto de campo o FET “Field Effect Transistor”
• JFET: Transistores de efecto de campo de unión. • MOSFET: Transistores de efecto de campo demetal-oxidosemiconductor.
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2. Transistor bipolar NPN.
C NP B + VCE + VBE IE IB VCE Conociendo 2 corrientes y dos tensiones, generalmente IC, IB, VCE y VBE, los demás parámetros se pueden obtener: IE = IC + IBVCB = VCE - VBE IC N+ E +
Un transistor bipolar está formado por dos uniones PN que fundamentalmente tiene estas características: 1.- La zona de Base debe ser muy estrecha. 2.- El emisor debe de estarmuy dopado. Normalmente, el colector está muy poco dopado y es mucho mayor.
Parámetros: • Corrientes: IC, IB, IE. •Tensiones: VCE, VBE, VCB.
IC = f(VCE, IB) Característica de salida
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2.Transistor bipolar NPN.
El transistor puede funcionar en tres estados distintos: • Activo, en el cual puede estar activo en directo o inverso •Corte •Saturación Ic IB > 0
IB=0 VCE
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3.Transistor bipolar.
• El transistor bipolar PNP es constructivamente similar al NPN y sus usos, respetando las polarizaciones, son intercambiables. • La gran diferencian entre ambos modelos radica en larapidez del NPN con respecto al otro. • El transistor NPN funciona desplazando electrones mientras que el PNP lo hace con huecos (Mayoritarios en el emisor en cada caso). • La movilidad de los...
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