electro

Fotorresistencias: La célula fotorresistiva o LDR es una resistencia cuyo valor varía con la intensidad de radiación luminosa incidente, y consiste en una capa delgada de selenio, germanio, sulfuro de plomo, sulfuro de cadmio, antimonio, indio y algunos otros metales o compuestos metálicos, dispuesta sobre un substrato cerámico o plástico.


Fototransistores: Son componentes optoelectrónicoscon la misma estructura que los transistores bipolares o unipolares clásicos, en los que la unión colector-base puede ser iluminada por una radiación incidente.


Fotodiodos: son diodos sensibles a la luz. Generan un voltaje de corriente continua proporcional a la cantidad de luz que incide sobre su superficie, es decir, son diodos de unión PN cuyas características eléctricas dependen de lacantidad de luz que incide sobre la unión. Se utilizan como medidores y sensores de luz y en receptores ópticos de comunicaciones.

Optoacoplador: Los optoacopladores son dispositivos optoelectrónicos que permiten la transmisión de señales eléctricas manteniendo dos zonas del circuito aisladas eléctricamente. Esto se consigue mediante una transformación de la señal eléctrica entrante en señalluminosa y su posterior conversión en señal eléctrica. Así se consigue una zona de aislamiento eléctrico casi total entre el circuito de entrada y el de salida. Su frecuencia de trabajo se sitúa en el rango de Mhz, la resistencia de aislamiento es del orden de centenares de millones de megaohmios, la capacidad interna oscila entre 0.3 y 2 pF y la tensión de aislamiento varía de 500 a varios miles devoltios.

Transistor
El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador orectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio yvideo,relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, etc.



Tipo de transistores:
Transistor de contacto puntual 
Llamado también transistor de punta de contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que lacombinacióncobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de «transfer resistor». Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podíadesplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.
Transistor de unión bipolar :
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estadointermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se utilizan comoelementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación...