Electronica

Páginas: 5 (1112 palabras) Publicado: 20 de agosto de 2012
Dispositivo semiconductor que permite el control y la regulación de una corriente grande mediante una señal muy pequeña. Existe una gran variedad de transistores. En principio, se explicarán los bipolares. Los símbolos que corresponden a este tipo de transistor son los siguientes:
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-Transistor NPN: es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en desuniones muycercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales;  la corriente que circula a través del emisor: en un transistor NPN es saliente.

-Transistor PNP: El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en día sonPNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la mayoría de las circunstancias.

ESTRUCTURA

Un transistor de unión bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada región delsemiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), según corresponda.
La base está físicamente localizada entre el emisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la región del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la región de la base escapar de sercolectados, lo que hace que el valor resultante de α se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran β.

-Corte transversal simplificado de un transistor de unión bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unión base-colector es mucho más amplia que la base-emisor.

Funcionamiento
En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la uniónbase-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
-Característica idealizada de un transistor bipolar.

MAPA CONCEPTUAL

EL TRANSISTO BIPOLAR
ELTRANSISTO BIPOLAR

Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.
Polarización de un transistor NPN

Polarización de un transistor PNP

Una polarización correcta permite el funcionamiento de este componente. No es lo mismo polarizar un transistor NPN que PNP.
Polarización de un transistor NPN

Polarización de untransistor PNP

POLARIZACIÓN DE UN TRANSISTOR

POLARIZACIÓN DE UN TRANSISTOR

NPN: es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que lamovilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.

El símbolo de un transistor NPN.
NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día sonNPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.

NPN: es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayoría de los transistores...
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