Electronica

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UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA - SEDE MANIZALES

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Introducción a Transistores (Parte 1) Reporte Técnico
Docente: Julio César García Monitor: Juan Diego Electrónica Analógica I Estudiante Estudiante Estudiante Estudiante 1: 2: 3: 4:

April 7, 2011

Abstract—En esta práctica se da un acercamiento práctico a los transistores, con la finalidad de comprobar sus propiedades vistas en laclase. Se trabajará realizando los cálculos en pequeña señal y saturación de los resistores adecuados en cada caso. Index Terms—Transistor, Amplificador.
Fig. 1. Configuraciones BJT.

I. I NTRODUCCIÓN Un transistor puede considerarse un amplificador de corriente (caso BJT) o un amlificador de transresistencia (caso FET). Por ejemplo, pueden ser usados para amplificar una débil corriente (o tensión) desalida de un circuito integrado, de tal manera que puede operar un dispositivo de media o alta potencia. En muchos circuitos se usa una resistenca para convertir la corriente variable en tensión variable. De este modo, el transistor puede usarse como amplificador de transconductancia (caso BJT) o de voltaje (caso FET). El transistor también puede ser usado como interruptor, en lo que se denominanestados de corte y saturación. El estado intermedio se denomina estado activo, en donde el transistor se considera un amplificador de pequeña señal. La cantidad de amplificación se denomina ganancia, sea de corriente (hF E o β ), tensión Av , transconductancia gm o transresistencia rm . II. M ARCO T EÓRICO A. El BJT Existen dos tipos de transistores de juntura bipolar (BJT), NPN y PNP. La convenciónse refiere a las capas de material semiconductor usado para la fabricación del transistor. La mayoría de los transistores son NPN debido a su facilidad de fabricación. Los símbolos se ilustan en la Figura 1. El BJT puede ser polarizado mediante tres configuraciones básicas: Emisor Común (CE), Colector Común (CC) y Base Común (CB). La Figura 2 ilustra estas configuraciones.

Fig. 2.Configuraciones BJT.

B. Prueba en BJTs Existen varios métodos para probar el BJT y medir sus parámetros. Se ilustran los siguientes: Mediante un multímetro, mediante un circuito y mediante un equipo probador. 1) Usando un Multímetro Aunque existen multímetros avanzados que prueban los transistores directamente, con un multímetro que mida resistencia o diodos es suficiente. En caso de utilizar la opción de medirresitencias, se utiliza el menor rango posible. Así, al medir con el multímetro dos de los tres terminales del transistor tanto directa como inversamente (en total deben ser 6 mediciones), la Tabla I ilustra los resultados que se obtienen.

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2

Juntura BE EB BC CB CE EC

Resultado

parámetros.
Parámetro hFE VBE0 IC0 Valor

TABLE I RESULTADOS DE LA PRUEBA DEL TRANSISTOR .

TABLE II R ESULTADOS DE LA PRUEBA DEL TRANSISTOR .

De

este modo, la junturas y se comportan como diodos y la juntura siempre está como circuito abierto, porque

C. El FET El Transistor de Efecto de Campo (FET) funciona mediante un campo eléctrico aplicado que controla la conductividad de un canal portador de carga de un material semicondutor.Estos dispositivos son frecuentemente llamados transistores unipolares para diferenciar su operación de tipo uni-portadora con la operación . bi–portadora del BJT. Los símbolos se ilustran en la Figura 4. El FET puede ser polarizado mediante tres

2) Usando un circuito de prueba Instale el BJT en el circuito mostrado en la Figura 3, donde V cc = 12 Volts, VI = [0, 5] Volts, RC = 1kΩ y RB = 10kΩ. Elsiguiente es el procedimiento para

Fig. 4.

Configuraciones FET

Fig. 3.

Circuito probador BJT.

configuraciones básicas: Drenaje común (CD), Fuente Común (CS) y Compuerta Común (CG). La Figura 5 ilustra estas configuraciones.

calcular la ganancia de coriente Colector/Base en la zona activa β Coloque el procedimiento aquí

Fig. 5.

Configuraciones FET

D. Prueba en FETs Los...
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