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CARACTERIZACION DE UN CIRCUITO INTEGRADO CONFORMADO POR TRANSISTORES NMOS Y PMOS
NMOS
Se tomaron medidas del transistor tomando uno de los NMOS y conectándole una fuente la cual definía un Vgs yuna fuente variable que definía el Vds.
tabla 1


Vgs=2,5[V]





Vf
Vds
I[mA]
1
1,96
0,906
1,6
1,52
0,924
2
1,97
0,932
2,5
2,39
0,936
2,9
2,81
0,94
3,5
3,42
0,944
43,95
0,95
4,4
4,31
0,954
5
4,88
0,956
5,6
5,48
0,959
6
4,97
0,963
6,4
6,38
0,965
7
6,88
0,967
7,6
7,54
0,968
8,1
8,01
0,971
9
8,94
0,974
10
9,87
0,979







Tabla2.
Vgs=3[V]





Vf
Vds
I[mA]
0
0,02
0,069
0,5
0,44
1,058
1
0,88
1,539
1,4
1,3
1,622
1,9
1,79
1,642
2,6
2,45
1,654
2,9
2,78
1,66
3,5
3,32
1,666
4,1
3,97
1,673
4,74,54
1,68
5
4,91
1,683
5,5
5,35
1,687
6
5,87
1,691
6,6
6,43
1,696
7
6,84
1,7
7,5
7,35
1,701
8
7,87
1,707
8,5
8,37
1,71
9
8,83
1,713
9,5
9,34
1,715
10
9,87
1,72
10,610,44
1,723
11,2
11,03
1,728
12,1
11,92
1,733
12,6
12,47
1,74
13,1
12,94
1,743
13,6
13,48
1,75
14,1
13,97
1,753
14,7
14,58
1,762
15
14,89
17,73




Tabla 3Vgs=3,5[V]





Vf
Vds
I[mA]
0
0,02
0,089
0,5
0,41
1,346
1,1
1,12
2,6
1,7
1,66
2,8
2,2
2,21
2,84
2,6
2,57
2,85
3
2,99
2,87
3,5
3,43
2,88
4,1
4,04
2,89
4,5
4,48
2,89
54,94
2,9
5,5
5,47
2,9
6
5,96
2,91
6,4
6,36
2,91
7
6,96
2,92
7,5
7,47
2,92
8
7,97
2,93
8,5
8,51
2,93
9
9
2,94
9,5
9,48
2,95
10
9,97
2,95
10,5
10,51
2,95
11,1
11,082,95
11,6
11,61
2,95
12,1
12,1
2,96
12,5
12,46
2,96
13
12,97
2,97
13,5
13,48
2,98
14
13,97
2,98
14,5
14,49
2,99
15,1
15,05
3




tabla 4



Vds=6 [V]
Vth=1Vgs
Vgs[medido]
I[uA]
I[mA]
0,2
0,17
0
0
0,7
0,66
0
0
1,3
1,28
0,6
0,0006
1,4
1,41
4
0,004
1,5
1,54
16,2
0,0162
1,6
1,6
26,2
0,0262
1,7
1,74
59,2
0,0592
1,8
1,76...