Funcionamiento del transistor

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ALAN URIEL SANCHEZ LOPEZ

4CM1

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DEL CAMPO.

D G S
G-PUERTA (GATE) D-DRENADOR (DRAIN) S-FUENTE (SOURCE)

D G S

FUNCIONAMIENTO DE JFET TIPO N

DUDS+USG

ID UDS

G

El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre sí. Laregión que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (USG) yla compuerta o gate se polariza negativamente con respecto

USG

USG

S
a la fuente (-UDS).

Los electrones son inyectados a la fuente (source) a través del canal semiconductor cuyaresistividad depende de una región de estrangulamiento motivada por la acción repelente

ALAN URIEL SANCHEZ LOPEZ

4CM1

del campo eléctrico conectado al terminal de control (Compuerta, gate).Lasección del canal depende de la tensión USG y Si se introduce una cierta tensión D-S la corriente ID por el canal dependerá de USG. Como resumen: • La corriente de drenador se controla mediante tensión (adiferencia de los transistores bipolares donde se controla la corriente de colector mediante la corriente de base) La unión puerta-fuente se polariza en zona inversa y existe un valor límite de U GS apartir del cual el canal se cierra y deja de pasar corriente de drenador Entre drenador y fuente el JFET se comporta como una resistencia o una fuente de corriente dependiendo de la tensión UDS.

••

MOSFET

G D N N S

Metal Oxido (aislante) Semiconductor

P SUSTRATO

N-MATERIAL DE TIPO P QUE SE LE AGREGAN ATOMOS DE OTRO MATERIAL PARA VOLVERLO TIPO N (POZOS).

ALAN URIEL SANCHEZLOPEZ

4CM1

UDS ID UGS

En esta parte Ugs llena de carga positiva a la placa de metal que terminara actuando como capacitor, ya que después de esta tiene un aislante.

N
Campo eléctrico...
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