Funcionamiento del transistor

ALAN URIEL SANCHEZ LOPEZ

4CM1

FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR DE EFECTO DEL CAMPO.

D G S
G-PUERTA (GATE) D-DRENADOR (DRAIN) S-FUENTE (SOURCE)

D G S

FUNCIONAMIENTO DE JFET TIPO N

DUDS+USG

ID UDS

G

El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre sí. Laregión que existe entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (USG) yla compuerta o gate se polariza negativamente con respecto

USG

USG

S
a la fuente (-UDS).

Los electrones son inyectados a la fuente (source) a través del canal semiconductor cuyaresistividad depende de una región de estrangulamiento motivada por la acción repelente

ALAN URIEL SANCHEZ LOPEZ

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del campo eléctrico conectado al terminal de control (Compuerta, gate).Lasección del canal depende de la tensión USG y Si se introduce una cierta tensión D-S la corriente ID por el canal dependerá de USG. Como resumen: • La corriente de drenador se controla mediante tensión (adiferencia de los transistores bipolares donde se controla la corriente de colector mediante la corriente de base) La unión puerta-fuente se polariza en zona inversa y existe un valor límite de U GS apartir del cual el canal se cierra y deja de pasar corriente de drenador Entre drenador y fuente el JFET se comporta como una resistencia o una fuente de corriente dependiendo de la tensión UDS.

••

MOSFET

G D N N S

Metal Oxido (aislante) Semiconductor

P SUSTRATO

N-MATERIAL DE TIPO P QUE SE LE AGREGAN ATOMOS DE OTRO MATERIAL PARA VOLVERLO TIPO N (POZOS).

ALAN URIEL SANCHEZLOPEZ

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UDS ID UGS

En esta parte Ugs llena de carga positiva a la placa de metal que terminara actuando como capacitor, ya que después de esta tiene un aislante.

N
Campo eléctrico...