Mecanica Encapsulado De Diodos

ENCAPSULADOS DIFERENTES DE LOS DIODOS
En dependencia de la tensión o voltaje que soportan, la intensidad de la corriente de trabajo, la función específica que tendrán asignada dentro de un circuito electrónico y la potencia que disipan en watt, los diodos se comercializan con diferentes tipos de encapsulados. Además, un diodo específico puede tener tamaño y características de trabajo diferentes,así como diferente forma de encapsulado. | | En esta ilustración aparecen varios diodos de características y usos. Diferentes y con encapsulados también diferentes.

El tipo de encapsulado de estos diodos se identifica con las. Siguientes. Siglas:

1.- DO35, 2.- DO-41, 3.- SOD-57, 4.- TO-3,5.- TO-48, 6.- SOD-23, 7.- KBL, 8.- WOW. Además  de  estos  ejemplos  existen  muchos tipos más deEncapsulados. |
 
Muestra de dos diodos rectificadores de silicio de diferentes características y encapsulados también diferentes, ambos comparados con un céntimo de euro. El diodo de arriba, de menor tamaño, puede soportar una  corriente  de 1 ampere y trabajar con un voltaje de 1000 volt. A ese diodo le corresponde un encapsulado DO-41. El diodo de abajo, de mayor tamaño, puede soportar unacorriente de 10 ampere y trabajar, igualmente, con un voltaje de 1000 volt, pero a diferencia del anterior  a  éste  le  corresponde  un  encapsulado R-6.         | | |
Unión PN De Wikipedia, la enciclopedia libreSaltar a: navegación, búsqueda . Contenido [ocultar]  * 1 Silicio puro o "intrínseco" * 2 Silicio "extrínseco" tipo "P" * 3 Silicio "extrínseco" tipo "N" * 4 Barrera interna depotencial * 5 Polarización directa de la unión P - N * 6 Polarización inversa de la unión P - N * 7 Véase también * 8 Enlaces externos |
[editar] " [editar] Silicio "extrínseco" tipo "P"Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, sustituyéndole algunos de los átomos de un semiconductor intrínseco por átomos con menos electrones de valencia que el semiconductoranfitrión, normalmente trivalente, es decir con 3 electrones en la capa de valencia (normalmente boro), al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso positivos, huecos).Cuando el material dopante es añadido, éste libera los electrones más débilmente vinculados de los átomos del semiconductor. Este agente dopante es también conocido como impurezasaceptoras.El propósito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos. En el caso del silicio, una impureza trivalente deja un enlace covalente incompleto, haciendo que, por difusión, uno de los átomos vecinos le ceda un electrón completando así sus cuatro enlaces. Así los dopantes crean los "huecos". Cada hueco está asociado con un ion cercano cargado negativamente, por lo que el semiconductor semantiene eléctricamente neutro en general. No obstante, cuando cada hueco se ha desplazado por la red, un protón del átomo situado en la posición del hueco se ve "expuesto" y en breve se ve equilibrado por un electrón. Por esta razón un hueco se comporta como una cierta carga positiva. Cuando un número suficiente de aceptores son añadidos, los huecos superan ampliamente la excitación térmica delos electrones. Así, los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que los electrones son los portadores minoritarios en los materiales tipo P. Los diamantes azules (tipo IIb), que contienen impurezas de boro (B), son un ejemplo de un semiconductor tipo P que se produce de manera natural.[editar] Silicio "extrínseco" tipo "N"Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso dedopado añadiendo un cierto tipo de elemento, normalmente pentavalente, es decir con 5 electrones en la capa de valencia, al semiconductor para poder aumentar el número de portadores de carga libres (en este caso, negativos, electrones libres).Cuando el material dopante es añadido, éste aporta sus electrones más débilmente vinculados a los átomos del semiconductor. Este tipo de agente dopante es...