mecatronica





CATEDRATICO:
ING. JOSE MALDONADO.
INTEGRANTES:
DANIEL MARTINEZ ESTUPIÑAN 08740168
FRANCISCO SANDOVAL HOLGUIN 09740203
ANGEL RODRiGUEZ MONTES 08780181





















2. Dispositivos semiconductores de potencia.
Un semiconductor es un componente que puede tener dos estados como un conductor de corriente, pero también como un aislante. En un conductorla corriente es debida al movimiento de las cargas negativas (electrones). En los semiconductores se producen corrientes producidas por el movimiento de electrones como de las cargas positivas (huecos). Los semiconductores son aquellos elementos pertenecientes al grupo IV de la Tabla Periódica (Silicio, Germanio, etc. Generalmente a estos se le introducen átomos de otros elementos, denominadosimpurezas, de forma que la corriente se deba primordialmente a los electrones o a los huecos, dependiendo de la impureza introducida. Otra característica que los diferencia se refiere a su resistividad, estando está comprendida entre la de los metales y la de los aislantes.
Soportan Tensiones e intensidades elevadas dependienta del dispositivo. Su uso está presente en la industria por ejemplopara control de motores asíncronos, caldeo inductivo, rectificadores.

Las características esenciales que define un dispositivo semiconductor de potencia las podemos resumir en los siguientes puntos:
Tener dos estados claramente definidos, uno de alta impedancia (bloqueo) y otro de baja impedancia (conducción). Poder controlar el paso de un estado a otro con facilidad y pequeña potencia.
Ser capacesde soportar grandes intensidades y altas Tensiones cuando está en estado de bloqueo, con pequeñas caídas de tensión entre sus electrodos, cuando está en estado de conducción. Ambas condiciones lo capacitan para controlar grandes potencias.
Rapidez de funcionamiento para pasar de un estado a otro.

Para poder definir un dispositivo semiconductor de potencia debemos conocer los siguientestérminos:
Tensión inversa: es la Tensión que el dispositivo puede bloquear sin sufrir ningún daño ni modificación.
Tensión directa: es la caída de Tensión cuando el dispositivo se encuentra en estado de conducción.
Y otros términos más como son la potencia máxima, temperatura máxima de la unión etc.





2.1 Diodo.


Entre los principales dispositivos de potencia se puede mencionar al diodo queson dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario al de conducción. Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción, deben ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de Tensión. En sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte Tensión negativa de ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

Figura 2.Curva característica del diodo



.













2.2 Rectificadores controladores de silicio
(SCR)
El rectificador controlado de silicio (en inglés SCR: Silicon Controlled Rectifier) es un tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor con estructura PNPN o bien NPNP. El nombre proviene de la unión de Tiratrón (tyratron) y Transistor.
Tiristor.Un SCRposee tres conexiones: ánodo, cátodo y gate (puerta). La puerta es la encargada de controlar el paso de corriente entre el ánodo y el cátodo. Funciona básicamente como un diodo rectificador controlado, permitiendo circular la corriente en un solo sentido. Mientras no se aplique ninguna tensión en la puerta del SCR no se inicia la conducción y en el instante en que se aplique dicha tensión, eltiristor comienza a conducir. Trabajando en corriente alterna el SCR se des excita en cada alternancia o semiciclo. Trabajando en corriente continua, se necesita un circuito de bloqueo forzado, o bien interrumpir el circuito.
El pulso de disparo ha de ser de una duración considerable, o bien, repetitivo si se está trabajando en corriente alterna. En este último caso, según se atrase o adelante el...