Memorias

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Memorias:  Tecnologías de fabricación
1  Sinopsis
Existen muchas tecnologías de memoria RAM, pero pueden resumirse en dos grandes grupos: 
Memorias RAM estáticas (SRAM) y dinámicas (DRAM).  Ambas pueden escribirse y leerse repetidamente, y ambos tipos pierden su contenido cuando se apaga el sistema.  Sin embargo, las dinámicas tienen la característica adicional de que deben ser "refrescadas"constantemente. Esto significa que una vez escrita en ellas la información, la pierden rápidamente. Por lo que debe utilizarse un sistema (de refresco) que lea el contenido y vuelva a escribirlo.  Este proceso se repite constante y automáticamente durante el funcionamiento del ordenador.  Por contra, las estáticas conservan su contenido indefinidamente (mientras se mantenga la alimentación deenergía), por lo que solo deben ser reescritas nuevamente cuando se desee cambiar su contenido.
2  DRAM
Este tipo de memoria es el más ampliamente utilizado en los PCs actuales.  Tiene la característica de ser de fácil construcción (resulta económica) y muy compacta (muchos bits en poco espacio), aunque con el inconveniente de la necesidad de refresco ya comentada, además de ser comparativamente"lenta". Este último factor ha ha motivado la aparición de memorias caché mucho más rápidas.  La velocidad de acceso de la DRAM es del orden de 60 ns.
Nota:  Actualmente (2001) existen módulos DRAM de 256 Mbits. Lo que significa que existen chips con 256 millones de transistores;  mucha más cantidad que los contenidos en un Pentium.  Aunque hay que significar que la DRAM es una estructura regular yrepetitiva que no puede ser comparada con la complejidad de un procesador.
La DRAM está constituida por conjuntos de transistor-condensador, y es el estado cargado/descargado de este condensador, el que representa los bits individuales 1 o 0.  La volatilidad se debe precisamente a que los condensadores tienden a perder la carga.
En los sistemas PC, existe un controlador especial de memoriaalojado en el chipset de la placa base, que refresca el contenido de la memoria cada 15 µs (microsegundos) [1].  Este refresco supone la ocupación de varios ciclos de la UCP.  En los sistemas antiguos, este trabajo de actualización suponía una parte importante del trabajo que era capaz de desarrollar el procesador, pero en los sistemas modernos (mucho más capaces) esta función supone apenas un 1% de lacarga de trabajo de la UCP.
Los chips actuales de RAM montan la electrónica necesaria para refrescar su propio contenido, pero deben ser informados del momento adecuado mediante una señal apropiada, con objeto de que la tarea de refresco no interfiera los procesos normales de acceso del sistema.  En algunas placas-base la frecuencia de refresco puede ser alterada, pero no conviene rebajarlaporque se corre el riesgo de que alguno de los millones de condensadores pierda la carga.  Además, una disminución del 1% del trabajo del procesador no supone desde luego una ventaja que compense el riesgo de corromper los datos.
3  SRAM
La memoria estática mejora algunos de los inconvenientes de la dinámica pero añade otros.  Este tipo de memoria está formada por conjuntos de 6 transistores porcada bit; lo que origina que mientras exista alimentación no pierde su contenido. Además es muy rápida, pero es comparativamente más voluminosa que la DRAM y mucho más cara.
En términos de velocidad, la SRAM tiene una velocidad de acceso comparable a la de los registros del procesador, es decir, más rápida que la DRAM.  Actualmente (2001) estas memorias SRAM tienen tiempos de acceso del orden de 2 a15 ns o menos.  En cambio su empaquetamiento es menos denso. La SRAM es hasta 30 veces más grande que una DRAM equiparable, y consecuentemente más costosa.
4  EDO
La memoria EDO ("Extended Data Output") es una innovación reciente (1995) en la tecnología de la DRAM.  Permite a la UCP tener acceso a la memoria un 10 o 15% más rápido que en los chips comparables.
5  Rambus
La memoria Rambus...
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