Potencia

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PRACTICAS DEL LABORATORIO

DE ELECTRONICA DE POTENCIA

I

ASESORIA

LUNES 10-12
MARTES 9-11 Y 4-5
JUEVES 3-4

LABORATORIO DE ELECTRONICA DE POTENCIA I

PRACTICA 1
“CARACTERIZACION DE LOS SEMICONDUCTORES DE POTENCIA”

OBJETIVOS:

1. Determinar las características v-i de los siguientes semiconductores de potencia:

a. Díodo
b.Rectificador de silicio controlado SCR
c. Thyristor bidireccional TRIAC
d. Transistor de potencia de unión bipolar NPN
e. Transistor de potencia de efecto de campo canal n MOSFET
f. Transistor bipolar de compuerta aislada IGBT

2. Determinar las características de control en CD y en CA de:

a. Rectificador de silicio controlado
b. Thyristorbidireccional
c. Transistor de efecto de campo

ANÁLISIS PRELIMINAR:

Estudiar los siguientes temas:

1. Características de los dispositivos semiconductores de potencia (Datasheet, identificación de terminales, interpretación de valores nominales) CUADERNO PROX CLASE, DATASHEET PEGADA.

2. Características de control de los dispositivos semiconductores de potencia. MATERIAL DETEORIA ESTÁ.

3. Circuitos básicos de control del SCR, TRIAC y MOSFET canal n.
MATERIAL DE TEORIA ESTÁ.

4. Tiempo de recuperación inversa del díodo. MATERIAL DE TEORIA ESTÁ.

PLANIFICACIÓN:

1. Elegir los valores nominales y adquirir los siguientes semiconductores:

a. SCR
b. TRIAC
c. BJT (NPN)
d. MOSFET (canal n)

2. Interpretarel data-sheet de cada semiconductor

3. Diseñar los circuitos en CC para determinar las características v-i de los siguientes semiconductores.

a. SCR
b. TRIAC
c. BJT (NPN)
d. MOSFET canal n

4. Diseñar los circuitos para determinar las características de control de los siguientes semiconductores:

a. SCR
b. TRIAC
c. BJT(NPN)
d. MOSFET canal n
Para determinar las características en corriente alterna utilizar el transformador de 120/12 V

5. Diseñar un circuito para medir el tiempo de recuperación inversa de un diodo 1N5408. Utilizar un generador de funciones, con una tensión de alimentación de +10/0V y +10/-2V.

EJECUCIÓN:

1. Armar los circuitos diseñados para determinar lascaracterísticas v-i de los semiconductores especificados y realizar las mediciones requeridas por el procedimiento seleccionado.

2. Armar los circuitos diseñados para determinar las características de control de los semiconductores especificados y realizar las mediciones requeridas por el procedimiento seleccionado.

EVALUACIÓN:

1. Representar para cada uno de los semiconductoresel voltaje de control vs tiempo y el voltaje controlado vs t.

2. ¿Cómo identificar los terminales de un SCR si no se consigue el data-sheet? ¿Cómo determinar si un SCR está o no dañado?

3. Comparar el tiempo de recuperación inversa determinado experimentalmente y el especificado en el datasheet. ¿Cómo influye en el experimento del tiempo de recuperación inversa el que la señal de lafuente tenga una componente negativa?¿Como afecta el desempeño del díodo el fenómeno de recuperación inversa?

CONCLUSIONES

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA 1

LABORATORIO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA 1

PRACTICA 3
“RECTIFICADOR MONOFASICO DE ONDA COMPLETA”

OBJETIVOS:

1. Verificar la operación en bajo voltaje, de un rectificador monofásico de onda completa tipopuente, con carga resistiva y resistiva-inductiva.

2. Verificar la operación en bajo voltaje ,de un rectificador monofásico de onda completa tipo semipuente con carga resistiva y resistiva-inductiva.

3. Diseñar el filtro para el rectificador tipo puente

ANÁLISIS PRELIMINAR:

Estudiar los siguientes temas:

1. Operación del rectificador monofásico tipo puente.

2....
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