Practicas de electronica
Páginas: 8 (1939 palabras)
Publicado: 9 de marzo de 2011
Crescencio Ramos García
Carrera:
Ing. Electrónica
Semestre:
VI
CIRCUITO TRANSMISOR-RECEPTOR INALAMBRICO
INTRODUCCION
FOTODIODO
Es un fotoconductor o fotodetector que cambia su resistencia eléctrica debido a la exposición a energía radiante. Un fotodiodo consiste en esencia de una unión de material "P" y material "N" polarizada inversamente, en la cual la corriente inversaestá en función de la luz que incide en el fotodiodo y se considera que a mayor intensidad de luz existe una corriente de fuga mayor.
El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generación de pares electrón - hueco debido a la energía luminosa. La aplicación de la luz a la unión dará como resultado una transferencia de energía de las ondas de luz incidentes (en forma de fotones)a la estructura atómica, dando como resultado un aumento en la cantidad de portadores minoritarios y un incremento del nivel de la corriente inversa.
*Aplicaciones: - Medidas de distancia.
- Comunicaciones ópticas. - Medidas de espesor
- Fotómetros. - Transparencia.
-Control de iluminación y brillo. - Detectores de proximidad y de presencia.
- Control remoto por infrarrojos. - Censado de color para inspección y control de calidad
- Enfoque automático y control de exposición en cámaras **Agrupando varios sensores:
**Combinadas con una fuente de luz: - Reconocimiento de formas.
- Codificadores deposición. - Lectores de tarjetas codificadas
FOTOTRANSISTOR
Un fototransistor es una combinación integrada de fotodiodo y transistor bipolar npn (sensible a la luz) donde la base recibe la radiación óptica. Es importante notar que todos los transistores son sensibles a la luz, pero los fototransistores están diseñados para aprovechar estacaracterística. Existen transistores FET, que son muy sensibles a la luz, pero encontramos que la mayoría de los fototransistores consisten en una unión npn con una región de base amplia y expuesta, como se muestra en la figura:
El funcionamiento de un fototransistor es el siguiente:
Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la base del mismo, generando huecos y conello una corriente de base que hace que el transistor entre en la región activa, y se presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso, reemplazan la corriente de base que normalmente se aplica eléctricamente.
OBJETIVO
El objetivo de la practica es ver que se este transmitiendo una señal inalámbrica esta será proporcionada por el fotodiodo y la podremosobservar por medio del osciloscopio.
MATERIAL UTILIZADO
1 fototransistor EQUIPO ELECTRONICO
1 fotodiodo Fuente de alimentación
3 resistencias de 230Ωç Generador de señales
2 protoboardOsciloscopio
1 regla
DIGRAMA DEL CIRCUITO
[pic]
DESARRROLLO
El desarrollo consistió en armar la practica tal cual el diagrama y así poder desarrollar la mediciones que son necesarias esto se logro variando la distancia entre el emisor y receptor respectivamente.
[pic]
MEDICIONES
Distancia voltaje
0cm 0.62
1cm 0.172.5cm 0.06
3cm 0.05
5cm 0.04
0cm v pico-pico 660v 7cm v pico-pico 650v
Periodo 960 ms periodo 960 ms
Vrms-ciclo 224v Vrms-ciclo 224v
Frecuencia 1.044 khz...
Carrera:
Ing. Electrónica
Semestre:
VI
CIRCUITO TRANSMISOR-RECEPTOR INALAMBRICO
INTRODUCCION
FOTODIODO
Es un fotoconductor o fotodetector que cambia su resistencia eléctrica debido a la exposición a energía radiante. Un fotodiodo consiste en esencia de una unión de material "P" y material "N" polarizada inversamente, en la cual la corriente inversaestá en función de la luz que incide en el fotodiodo y se considera que a mayor intensidad de luz existe una corriente de fuga mayor.
El efecto fundamental bajo el cual opera un fotodiodo es la generación de pares electrón - hueco debido a la energía luminosa. La aplicación de la luz a la unión dará como resultado una transferencia de energía de las ondas de luz incidentes (en forma de fotones)a la estructura atómica, dando como resultado un aumento en la cantidad de portadores minoritarios y un incremento del nivel de la corriente inversa.
*Aplicaciones: - Medidas de distancia.
- Comunicaciones ópticas. - Medidas de espesor
- Fotómetros. - Transparencia.
-Control de iluminación y brillo. - Detectores de proximidad y de presencia.
- Control remoto por infrarrojos. - Censado de color para inspección y control de calidad
- Enfoque automático y control de exposición en cámaras **Agrupando varios sensores:
**Combinadas con una fuente de luz: - Reconocimiento de formas.
- Codificadores deposición. - Lectores de tarjetas codificadas
FOTOTRANSISTOR
Un fototransistor es una combinación integrada de fotodiodo y transistor bipolar npn (sensible a la luz) donde la base recibe la radiación óptica. Es importante notar que todos los transistores son sensibles a la luz, pero los fototransistores están diseñados para aprovechar estacaracterística. Existen transistores FET, que son muy sensibles a la luz, pero encontramos que la mayoría de los fototransistores consisten en una unión npn con una región de base amplia y expuesta, como se muestra en la figura:
El funcionamiento de un fototransistor es el siguiente:
Al exponer el fototransistor a la luz, los fotones entran en contacto con la base del mismo, generando huecos y conello una corriente de base que hace que el transistor entre en la región activa, y se presente una corriente de colector a emisor. Es decir, los fotones en este caso, reemplazan la corriente de base que normalmente se aplica eléctricamente.
OBJETIVO
El objetivo de la practica es ver que se este transmitiendo una señal inalámbrica esta será proporcionada por el fotodiodo y la podremosobservar por medio del osciloscopio.
MATERIAL UTILIZADO
1 fototransistor EQUIPO ELECTRONICO
1 fotodiodo Fuente de alimentación
3 resistencias de 230Ωç Generador de señales
2 protoboardOsciloscopio
1 regla
DIGRAMA DEL CIRCUITO
[pic]
DESARRROLLO
El desarrollo consistió en armar la practica tal cual el diagrama y así poder desarrollar la mediciones que son necesarias esto se logro variando la distancia entre el emisor y receptor respectivamente.
[pic]
MEDICIONES
Distancia voltaje
0cm 0.62
1cm 0.172.5cm 0.06
3cm 0.05
5cm 0.04
0cm v pico-pico 660v 7cm v pico-pico 650v
Periodo 960 ms periodo 960 ms
Vrms-ciclo 224v Vrms-ciclo 224v
Frecuencia 1.044 khz...
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