Practicas para estudiantes

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| UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA DE JALISCODIVISIÓN MANTENIMIENTO A MAQUINARIA PESADA | No. 1VERSIÓN: 1 FECHA: 30 DE AGOSTO 2010 |
TITULO DE LA PRACTICA: | #1: Polarización de los Diodos |
ASIGNATURA: | Electrónica | HOJA: 1 | DE: 1 |
UNIDAD TEMATICA: | 1 | FECHA DE REALIZACIÓN: | Agosto 20 2010 |
NUMERO DE PARTICIPANTES RECOMENDABLE: | 3 | ELABORO: | Ing. Salvador Cueva Rolón |
AdorDURACION : | 2.5 | LUGAR: | Taller de Electrónica | REVISO: | |
CARRERA: | Mantenimiento a Maquinaria Pesada | REVISION: | 1 | 2 | 3 | 4 |
OBJETIVO: | Comprobar el comportamiento de los diodos en CC | | x | | | |

MARCO TEÓRICO: Sin duda uno de los elementos básicos más utilizados en electrónica es el diodo. Solamente conduce en un sentido, cuando la polaridad positiva se conecta alánodo y la negativa al cátodo. Está formado por un cristal P y un cristal tipo N, El cristal tipo P se obtiene al dopar con átomos de impurezas Trivalentes, es decir, con átomos que tienen tres electrones en su capa de valencia, el resultado es obtener un cristal que tiene una carga neta positiva., con huecos como los portadores mayoritarios de carga, un hueco no es otra cosa sino la ausencia de unelectrón. El cristal tipo N se obtiene dopando al material intrínseco (puro) con átomos de impurezas pentavalentes, es decir, con átomos que tienen 5 electrones en su capa de valencia. El resultado es un cristal tipo N que adquiere una carga neta negativa,. En donde los electrones son los portadores mayoritarios de carga. Una vez dopado el material, en el centro del mismo ocurre unarecombinación, los electrones de lado N se recombinan con los huecos del lado P hasta que se forma una barrera de potencial cuyo valor depende del tipo de material semiconductor utilizado. Si es Silicio la barrera a vencer es de 0.7 V y de 0.3 V si el material empleado es de Germanio. |
DESCRIPCION DE LA PRÁCTICA: Medir para comprobar el comportamiento del diodo enpolarización directa e inversa. Idealmente cuando un diodo se polariza directamente, este se comporta como un corto circuito, sin embargo en la realidad al medir su caída de tensión es de 0.7 V cuando se emplea un diodo de silicio.Polarización en sentido directo 1000 Ω+ 12 V - Σ V = 0 12V - VR - VD = 0 VR = 12 V – 0.7 V = 11.3 VIR = 11.3 / 1000 = 11.3 mA Figura 1 Figura 2 En la figura 1, puede observarse como los huecos se ven rechazados por el potencial positivo de la batería, lo mismo ocurre con los electrones en el lado N y como el potencial de la batería es mayor que labarrera de potencial el diodo conduce tanto que se dañarla si no se limita la corriente así como se ve en el circuito de la figura 2 en donde la corriente es de 11.3 mA Mida y anote los voltajes y la corriente del circuito. VR = _______________ VD = ___________________VB = _______________ IT = ____________________ Figura 3Construya el circuito de...
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