Tipos de diodos

DIODO ZENER
El diodo zener trabaja exclusivamente en la zona de característica inversa y, en particular, en la zona del punto de ruptura de su característica inversa
Esta tensión de ruptura depende de las características de construcción del diodo, se fabrican desde 2 a 200 voltios. Polarizado en directa actúa como un diodo normal y por tanto no se utiliza en dicho estado
EFECTO ZENER
Elefecto zener se basa en la aplicación de tensiones inversas que originan, debido a la característica constitución de los mismos, fuertes campos eléctricos que causan la rotura de los enlaces entre los átomos dejando así electrones libres capaces de establecer la conducción. Su característica es tal que una vez alcanzado el valor de su tensión inversa nominal y superando la corriente a su través undeterminado valor mínimo, la tensión en bornes del diodo se mantiene constante e independiente de la corriente que circula por él.
FUNCIONAMIENTO DEL DIODO ZENER
El símbolo del diodo zener es:

y su polarización es siempre en inversa, es decir


Tres son las características que diferencian a los diversos diodos Zener entre si:
a.- Tensiones de polarización inversa, conocida como tensiónzener.- Es la tensión que el zener va a mantener constante.
b.- Corriente mínima de funcionamiento.- Si la corriente a través del zener es menor, no hay seguridad en que el Zener mantenga constante la tensión en sus bornes
c.- Potencia máxima de disipación. Puesto que la tensión es constante, nos indica el máximo valor de la corriente que puede soportar el Zener.
Por tanto el Zener es un diodoque al polarizarlo inversamente mantiene constante la tensión en sus bornes a un valor llamado tensión de Zener, pudiendo variar la corriente que lo atraviesa entre el margen de valores comprendidos entre el valor mínimo de funcionamiento y el correspondiente a la potencia de zener máxima que puede disipar. Si superamos el valor de esta corriente el zener se destruye.

DIODO SCHOTTKY O DE BARRERASon dispositivos que tienen una caída de voltaje directa (VF) muy pequeña, del orden de 0.3 V o menos. Operan a muy altas velocidades y se utilizan en fuentes de potencia, circuitos de alta frecuencia y sistemas digitales. Reciben también el nombre de diodos de recuperación rápida (Fast recovery) o de portadores calientes.

FUNCIONAMIENTO
Cuando se realiza una ensambladura entre una terminalmetálica y un material
Semiconductor, el contacto tiene, típicamente, un comportamiento óhmico cualquiera, la resistencia del contacto gobierna la secuencia de la corriente. Cuando este contacto se hace entre un metal y una región semiconductora
con la densidad del dopante relativamente baja, las hojas dominantes del efecto debe ser el resistivo, comenzando también a tener un efecto derectificación. Un diodo Schottky, se forma colocando una película metálica en
Contacto directo con un semiconductor, según lo indicado en la figura N°2. El metal se deposita generalmente en un tipo de material N, debido a la movilidad más grande de los portadores en este tipo de material. La parte metálica será el ánodo y el semiconductor, el cátodo.
En una deposición de aluminio Al (3 electrones en lacapa de valencia), los electrones del semiconductor tipo N migran hacía el metal, creando una región de transición en la ensambladura.


Figura 2. Construcción y símbolo de un diodo Schottky.

Se puede observar que solamente los electrones (los portadores mayoritarios de ambos materiales) están en tránsito. Su conmutación es mucho más rápida que la de los diodos bipolares, una vez que noexistan cargas en la región tipo N, siendo necesaria rehacer la barrera de potencial (típicamente de
0,3V). La Región N tiene un dopaje relativamente alto, a fin de reducir la pérdida de conducción, por esto, la tensión máxima soportable para este tipo de diodo está alrededor de los 100V.


Figura 3. Curva característica.

En los anexos podremos ver algunas características y curvas...