transistor mosfet


Transistor mosfet
Transistor fet
Transistor bipolar





caracteristicas
es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales. Los MOSFET de enriquecimiento se basan en lacreación de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensión en la compuerta. La tensión de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma una región deinversión, es decir, una región con dopado opuesto al que tenía el sustrato originalmente. Los MOSFET de empobrecimiento tienen un canal conductor en su estado de reposo, que se debe hacer desaparecermediante la aplicación de la tensión eléctrica en la compuerta, lo cual ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de carga y una disminución respectiva de la conductividad.
El canal de unFET es dopado para producir tanto un semiconductor tipo N o uno tipo P. El drenador y la fuente deben estar dopados de manera contraria al canal en el caso de FETs de modo mejorado, o dopados de manerasimilar al canal en el caso de FETs en modo agotamiento. Los transistores de efecto de campo también son distinguidos por el método de aislamiento entre el canal y la puerta.
Tiene unaresistencia de entrada extremadamente alta (casi 100MΩ).
No tiene un voltaje de unión cuando se utiliza como conmutador (interruptor).
Hasta cierto punto es inmune a la radiación.
Es menosruidoso.
Puede operarse para proporcionar una mayor estabilidad térmica.
En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. Debido a laagitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados porel campo eléctrico que existe entre la base y el colector.
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta...