Transistor

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Diapositiva 1
ELECTRONICA ANALOGICA

MODELO HIBRIDO π DEL TRANSISTOR
Emisor Común para pequeña señal y baja frecuencia
Vb= rbb’ i b + vb’e
ic = gm vb’e + vc/rce - vb’c/rb’c

B
+
vb
_
Eib

ic

+
i
vbB b
E
_
rbb’ B’ rb’c
gmvb’e
rb’e

+
vc
_

C

ic C
+
rce

vc
_
E

Diapositiva 2
ELECTRONICA ANALOGICA

MODELO HIBRIDO π DEL TRANSISTOR
Parámetros delmodelo π
• rbb’= resistencia de dispersión de base

• rb’e = resistencia que representa el efecto de
recombinación de los portadores minoritarios
en la base
• rb’c = resistencia debida al efectoEarly o
modulación del ancho de base
• rce = resistencia entre colector y emisor salida
• gmvb’e= corriente de cortocircuito en la salida,
depende de la polarización emisor-base

Diapositiva 3ELECTRONICA ANALOGICA

PARAMETROS DEL MODELO π
Cálculo
B

ib

+
vb
_
E
B
+
vb
_
E

hfe ib

+
hre vc
_
ib

ic C
+

hie

rbb’
rb’e

vc
_

hoe
B’ rb’c

ic
gmvb’erce

E
C
+
vc
_
E

Diapositiva 4
ELECTRONICA ANALOGICA

PARAMETROS DEL MODELO π
Cálculo
Transconductancia
Definición
Definición

gm =

∂I C
∂VB 'E

VCE

=

I C − I CO
VT Diapositiva 5
ELECTRONICA ANALOGICA

PARAMETROS DEL MODELO π
Cálculo
• rb’e = resistencia que representa el efecto de
recombinación de los portadores minoritarios
en la base
B
+
vb
_ib

ic

rbb’

+
rb’c

rb’e

E

rb'e ≅

h fe
gm

B’

gmvb’e vb’e
_
E

Diapositiva 6
ELECTRONICA ANALOGICA

PARAMETROS DEL MODELO π
Cálculo
• rbb’= resistencia dedispersión de base

B
+
vb
_
E

ib

rbb’
rb’e

B’
+
rb’c

vb’e
_
E

rbb' ≅ hie − rb 'e

Diapositiva 7
ELECTRONICA ANALOGICA

PARAMETROS DEL MODELO π
Cálculo
• rb’c = resistenciadebida al efecto Early o
modulación del ancho de base
B ’ rb’c
rb’e

i

gmvb’e

ic C
+
rce

vc
_
E

rb' c ≅

rb' e
hre

Diapositiva 8
ELECTRONICA ANALOGICA

PARAMETROS DEL...
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