Transistor
ELECTRONICA ANALOGICA
MODELO HIBRIDO π DEL TRANSISTOR
Emisor Común para pequeña señal y baja frecuencia
Vb= rbb’ i b + vb’e
ic = gm vb’e + vc/rce - vb’c/rb’c
B
+
vb
_
Eib
ic
+
i
vbB b
E
_
rbb’ B’ rb’c
gmvb’e
rb’e
+
vc
_
C
ic C
+
rce
vc
_
E
Diapositiva 2
ELECTRONICA ANALOGICA
MODELO HIBRIDO π DEL TRANSISTOR
Parámetros delmodelo π
• rbb’= resistencia de dispersión de base
• rb’e = resistencia que representa el efecto de
recombinación de los portadores minoritarios
en la base
• rb’c = resistencia debida al efectoEarly o
modulación del ancho de base
• rce = resistencia entre colector y emisor salida
• gmvb’e= corriente de cortocircuito en la salida,
depende de la polarización emisor-base
Diapositiva 3ELECTRONICA ANALOGICA
PARAMETROS DEL MODELO π
Cálculo
B
ib
+
vb
_
E
B
+
vb
_
E
hfe ib
+
hre vc
_
ib
ic C
+
hie
rbb’
rb’e
vc
_
hoe
B’ rb’c
ic
gmvb’erce
E
C
+
vc
_
E
Diapositiva 4
ELECTRONICA ANALOGICA
PARAMETROS DEL MODELO π
Cálculo
Transconductancia
Definición
Definición
gm =
∂I C
∂VB 'E
VCE
=
I C − I CO
VTDiapositiva 5
ELECTRONICA ANALOGICA
PARAMETROS DEL MODELO π
Cálculo
• rb’e = resistencia que representa el efecto de
recombinación de los portadores minoritarios
en la base
B
+
vb
_ib
ic
rbb’
+
rb’c
rb’e
E
rb'e ≅
h fe
gm
B’
gmvb’e vb’e
_
E
Diapositiva 6
ELECTRONICA ANALOGICA
PARAMETROS DEL MODELO π
Cálculo
• rbb’= resistencia dedispersión de base
B
+
vb
_
E
ib
rbb’
rb’e
B’
+
rb’c
vb’e
_
E
rbb' ≅ hie − rb 'e
Diapositiva 7
ELECTRONICA ANALOGICA
PARAMETROS DEL MODELO π
Cálculo
• rb’c = resistenciadebida al efecto Early o
modulación del ancho de base
B ’ rb’c
rb’e
i
gmvb’e
ic C
+
rce
vc
_
E
rb' c ≅
rb' e
hre
Diapositiva 8
ELECTRONICA ANALOGICA
PARAMETROS DEL...
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