Transistore bjt
Páginas: 4 (757 palabras)
Publicado: 8 de abril de 2011
Antoine Meeùs Defoin
Id: 139664
Fecha: 25/03/11
Tarea 8
“Operación del Transistor Bipolar”
Propósito
El propósito de esta tarea es conocer el funcionamiento del transistor bipolar, analizandosu estructura interna molecular. El transistor es un elemento extremadamente importante en nuestras vidas por el simple hecho de que está presente en cada uno de nuestros aparatos electrónicos. Esuna herramienta fundamental de la electrónica tal como la conocemos el día de hoy. Por lo que es de suma importancia entender su funcionamiento, y solo se puede conocer completamente analizando eltransistor desde sus fundamentos primarios.
Por estas razones el propósito de esta tarea será analizar el transistor Bipolar.
El transistor Bipolar
Un transistor de unión bipolar consiste en tresregiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP. Para un transistor NPN,estas regiones son tipo N, tipo P, y tipo N Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) y colector (C).
La base está físicamente localizada entre elemisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente undispositivo simétrico. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor está altamente dopado, mientras que el colector está ligeramente dopado,permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la unión colector-base antes de que esta colapse. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal. Larazón por la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyección de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con aquellos inyectados...
Id: 139664
Fecha: 25/03/11
Tarea 8
“Operación del Transistor Bipolar”
Propósito
El propósito de esta tarea es conocer el funcionamiento del transistor bipolar, analizandosu estructura interna molecular. El transistor es un elemento extremadamente importante en nuestras vidas por el simple hecho de que está presente en cada uno de nuestros aparatos electrónicos. Esuna herramienta fundamental de la electrónica tal como la conocemos el día de hoy. Por lo que es de suma importancia entender su funcionamiento, y solo se puede conocer completamente analizando eltransistor desde sus fundamentos primarios.
Por estas razones el propósito de esta tarea será analizar el transistor Bipolar.
El transistor Bipolar
Un transistor de unión bipolar consiste en tresregiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP. Para un transistor NPN,estas regiones son tipo N, tipo P, y tipo N Cada región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) y colector (C).
La base está físicamente localizada entre elemisor y el colector y está compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad.
El transistor de unión bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente undispositivo simétrico. La falta de simetría es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor está altamente dopado, mientras que el colector está ligeramente dopado,permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensión de reversa en la unión colector-base antes de que esta colapse. La unión colector-base está polarizada en inversa durante la operación normal. Larazón por la cual el emisor está altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyección de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relación con aquellos inyectados...
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