Transistores bjt

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TRANSISTOR BJT - PUNTOS DE TRABAJO
Universidad Distrital Francisco José de Caldas

Resumen: Este trabajo contiene cierta información referente al transistor 2N2222, aplicaciones, manejo y el transcurso desde su creación hasta nuestros dias, los cuales a lo largo del tiempo nos ha facilitado ciertos aspectos en nuestra vida cotidiana.

Palabras claves: Transistor, polarización, configuración,puntos de trabajo, saturación.

INTRODUCCION:

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al primero se le llama transistor npn, en tanto que al segundo transistor pnp.
Las terminales se indican mediante las literales E para el emisor, C para el colector y B para labase. La abreviatura BJT, de transistor bipolar de unión (del ingles, Bipolar Junction Transistor), suele aplicarse a este dispositivo de tres terminales.
El transistor sin polarizar se puede considerarse como dos diodos contrapuestos, con una barrera de potencial de 0,7 V para cada diodo. Si se polariza ambos diodos directa o inversamente, se comportarán permitiendo o no el paso de la corrientecomo se sabe. El efecto de amplificación en el transistor se crea al polarizar directamente la unión base-emisor e inversamente la unión colector-base
Los transistores Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace algunas décadas. Gracias a ellos fue posible la construcción de receptores de radio portátiles llamados comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un parde segundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo.

1. Transistor de unión bipolar
El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre unmonocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargasnegativas) y la zona P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).
La configuración de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN, donde la letra intermedia siempre corresponde a la característica de la base, y las otras dos al emisor y alcolector que, si bien son del mismo tipo y de signo contrario a la base, tienen diferente contaminación entre ellas (por lo general, el emisor esta mucho más contaminado que el colector).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y delcomportamiento cuántico de la unión.

2.2. Configuración del transistor

1.2.1 Configuración de Emisor Común.
Se le denomina configuración de emisor común debido a que el emisor es común o relaciona las terminales tanto de entrada como de salida. Se necesitan 2 conjuntos de características para describir completamente el comportamiento de la configuración de emisor-común: uno para el circuitoteentrada o de base-emisor y otro para el circuito de salida o de colecto-emisor. Ambos se muestran en la figura.

Las corrientes de emisor, colector y base se muestran en su dirección convencional real para la corriente. La relación que se desarrolla entre esta corriente es la siguiente:
IE = IC +IB e IC = IE.
La región activa para la configuración de emisor común es la parte del cuadrante superior...
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