Transistores BJT

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Informe: Transistores BJT
Asignatura: Electr´ nica Anal´ gica
o
o
Docente: Oscar Marino D´az Betancur
ı
Monitor: Mario Alejandro Berrio Perdomo - Grupo N◦ 6
Santiago Cardona Aricapa Cod:211013
Juan Pablo Bedoya Alzate Cod: 211008
Universidad Nacional de Colombia - Sede Manizales
15 de Mayo del 2013

Abstract—En el siguiente informe se expondr´ lo refea
rente al an´ lisis delfuncionamiento del transistor bipolar
a
BJT 2N2222 y las caracteristicas de los dispositivos semiconductores de 3 terminales.

Para el circuito de la figura 1
1. Al realizar la simulaci´ n delcircuito se obtuvieron
o
los siguientes valores

Index Terms—Transistor, resistencia, corriente, tensi´ n.
o

I.

O BJETIVOS

Analizar las caracteristicas principales de los tansistores,comprobando valores teoricos practicos y
simulados.
Analizar las curvas caracteristicas de los transistores
II.

´
M ARCO TE ORICO

El transistor de uni´ n bipolar (Bipolar Junction Trano
sistor) esun dispositivo electr´ nico de estado solido
o
consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s?,
que permite controlar el paso de la corriente a trav´ s de
e
sus terminales. La denominaci´ nde bipolar se debe a que
o
la conducci´ n tiene lugar gracias al desplazamiento de
o
portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran n´ merou
de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre
ellos su impedancia de entrada bastante baja.
III.

ACTIVIDADES

Figura 2. Simulaci´ n 1
o

Ic: 1.67 mA
Ib: 7.74 uA
Ie: 1.62mA
Vce: 4.68 V
2. Medir y calcular matematicamente los valores para
la corriente de base, colector y emisor, la tensi´ n
o
colector-emisor y ; analizar los resultados.
recorremos la mmala parahallar Ib y hallamos
las demas corrientes y tensiones Vcb, Veb y
Vce.
−5 + 560Ib + 0,7 = 0

Figura 1. Circuito con transistor 2n2222

Ib =

5 − 0,7
= 7,67µA
560 ∗ 103

2

Ic = βIb
Ic...