Transistores de union
Páginas: 3 (726 palabras)
Publicado: 9 de noviembre de 2011
INSTITUTO TECNOLOGICO DE TLAXCALA
ING. GERARDO SANCHEZ VILLANUEVA
TRANSISTORES
PRESENTA.
LUISA MARIA MITRE DELGADO
TERCER SEMESTRE
ING. SISTEMAS COMPUTACIONALESOCTUBRE DE 2011
TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR
El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función de la señal de entrada. Esta variación de resistencia provoca quesea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que está conectado.
Un transistor Bipolar se forma agregando una segunda región p o n a un diodo de unión pn.
Posee tres terminales:Base, Colector y Emisor.
Operación del transistor:
.
Aplicando la ley de Corrientes de Kirchhoff tenemos:
IE=IC+IB
No obstante la corriente en la base es la suma de los portadoresmayoritarios y los minoritarios. Se expresa mediante:
IC=ICmayoritaria+ICOminoritaria
Al componente de corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga.
TRANSISTORES PNP Y NPN
TRANSISTOR NPN:“N” y “P” portadores de carga mayoritaria en las regiones del transistor. En la actualidad NPN, son los mas utilizados de bido a que la movilidad del electro es mayor, “permitiendo mas corriente yvelocidades de operación.
* Está formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E, B,C).
* El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base. En la base se gobiernan dichos portadores. En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base Uniónemisor: es la unión pn entre la base y el emisor. Unión colector: es la unión pn entre la base y colector.
* Cada una de las zonas está impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos queel colector o emisor. La base tiene menor tamaño, después el emisor y a 2 veces de espesor el colector.
TRANSISTOR PNP:
“P” y “N” refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las...
ING. GERARDO SANCHEZ VILLANUEVA
TRANSISTORES
PRESENTA.
LUISA MARIA MITRE DELGADO
TERCER SEMESTRE
ING. SISTEMAS COMPUTACIONALESOCTUBRE DE 2011
TRANSISTORES DE UNION BIPOLAR
El transistor es un dispositivo cuya resistencia interna puede variar en función de la señal de entrada. Esta variación de resistencia provoca quesea capaz de regular la corriente que circula por el circuito al que está conectado.
Un transistor Bipolar se forma agregando una segunda región p o n a un diodo de unión pn.
Posee tres terminales:Base, Colector y Emisor.
Operación del transistor:
.
Aplicando la ley de Corrientes de Kirchhoff tenemos:
IE=IC+IB
No obstante la corriente en la base es la suma de los portadoresmayoritarios y los minoritarios. Se expresa mediante:
IC=ICmayoritaria+ICOminoritaria
Al componente de corriente minoritaria se le denomina corriente de fuga.
TRANSISTORES PNP Y NPN
TRANSISTOR NPN:“N” y “P” portadores de carga mayoritaria en las regiones del transistor. En la actualidad NPN, son los mas utilizados de bido a que la movilidad del electro es mayor, “permitiendo mas corriente yvelocidades de operación.
* Está formado por una capa fina tipo p entre dos capas n, contenidas en un mismo cristal semiconductor de germanio o silicio, presentando las tres zonas mencionadas (E, B,C).
* El emisor emite portadores de carga hacia el interior de la base. En la base se gobiernan dichos portadores. En el colector se recogen los portadores que no puede acaparar la base Uniónemisor: es la unión pn entre la base y el emisor. Unión colector: es la unión pn entre la base y colector.
* Cada una de las zonas está impurificada en mayor o menor grado. La base 100 veces menos queel colector o emisor. La base tiene menor tamaño, después el emisor y a 2 veces de espesor el colector.
TRANSISTOR PNP:
“P” y “N” refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las...
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