Transistores FET Hj
Páginas: 11 (2528 palabras)
Publicado: 23 de agosto de 2015
Indice
Transistores FET (Transistor de Efecto de Campo) 2
Curva característica de un transistor FET 5
Fundamento de transistores de efecto de campo: 7
Parámetros del fet 7
Aplicaciones de los transistores fet 8
Configuraciones polarización de FET 10
Zp Zo Av para las diferentes configuraciones FET 12
Ventajas del FET 15
Desventajas que limitan la utilización de los FET 15
Conclusión 16Bibliografía 17
Transistores FET (Transistor de Efecto de Campo)
Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra suimpedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET (Field Effect Transistor) y entre ellos podemosdistinguir dos grandes tipos:
Transistor de Efecto de Campo de Unión:JFET (Junction Field Effect Transistor)
Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
En primer lugar, la principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que los transistoresFET son dispositivos controlados por tensión. En ambos casos, la corriente del circuito de salida es controlada por un parámetro del circuito de entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensión aplicada.
En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del camino de conducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre lamagnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión).De forma análoga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.
Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que mientras que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la corrienteintervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos), los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conducción dependerá únicamente de un único tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p.
Una de las características más importantes de los FETs es su alta impedancia de entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientosde mega ohmios, muy superiores a la que presentan los transistores bipolares que presentan impedancias de entrada del orden de unos pocos kilo ohmios. Esto proporciona a los FET una posición de ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos amplificadores.
Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la señal aplicada, es decir, la variación de la corriente desalida es mayor en los BJT que en los FET para la misma variación de la tensión aplicada. Por ello, típicamente, las ganancias de tensión en alterna que presentan los amplificadores con BJT son mucho mayores que las correspondientes a los FET.
En general los FET son más estables con la temperatura y, normalmente, más pequeños en construcción que los BJT, lo que les hace particularmente útiles encircuitos integrados (sobre todo los MOSFET).
Una característica importante de los FET es que se pueden comportar como si se tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la realización de circuitos utilizando única y exclusivamente transistores FET. (Desconocido)
El transistor FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo...
Transistores FET (Transistor de Efecto de Campo) 2
Curva característica de un transistor FET 5
Fundamento de transistores de efecto de campo: 7
Parámetros del fet 7
Aplicaciones de los transistores fet 8
Configuraciones polarización de FET 10
Zp Zo Av para las diferentes configuraciones FET 12
Ventajas del FET 15
Desventajas que limitan la utilización de los FET 15
Conclusión 16Bibliografía 17
Transistores FET (Transistor de Efecto de Campo)
Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así porque la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra suimpedancia de entrada bastante baja.
Existen unos dispositivos que eliminan este inconveniente en particular y que pertenece a la familia de dispositivos en los que existe un solo tipo de portador de cargas, y por tanto, son unipolares. Se llama transistor de efecto campo.
A los transistores de efecto de campo se les conoce abreviadamente como FET (Field Effect Transistor) y entre ellos podemosdistinguir dos grandes tipos:
Transistor de Efecto de Campo de Unión:JFET (Junction Field Effect Transistor)
Transistor de Efecto de Campo Metal - Óxido - Semiconductor: MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
En primer lugar, la principal diferencia entre ambos radica en el hecho de que el transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente, mientras que los transistoresFET son dispositivos controlados por tensión. En ambos casos, la corriente del circuito de salida es controlada por un parámetro del circuito de entrada, en un caso el nivel de corriente y en el otro el nivel de tensión aplicada.
En los transistores FET se crea un campo eléctrico que controla la anchura del camino de conducción del circuito de salida sin que exista contacto directo entre lamagnitud controlada (corriente) y la magnitud controladora (tensión).De forma análoga a como en los transistores bipolares existen dos tipos npn y pnp, en los transistores de efecto de campo se habla de transistores FETs de canal n y de canal p.
Una diferencia importante entre ambos tipos de transistores consiste en que mientras que los transistores BJT son bipolares, es decir, en la corrienteintervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos), los transistores FET son unipolares, en los que el nivel de conducción dependerá únicamente de un único tipo de portadores: de los electrones en los de canal n y de los huecos en los de canal p.
Una de las características más importantes de los FETs es su alta impedancia de entrada con niveles que pueden varias desde uno hasta varios cientosde mega ohmios, muy superiores a la que presentan los transistores bipolares que presentan impedancias de entrada del orden de unos pocos kilo ohmios. Esto proporciona a los FET una posición de ventaja a la hora de ser utilizados en circuitos amplificadores.
Sin embargo, el transistor BJT presenta mayor sensibilidad a los cambios en la señal aplicada, es decir, la variación de la corriente desalida es mayor en los BJT que en los FET para la misma variación de la tensión aplicada. Por ello, típicamente, las ganancias de tensión en alterna que presentan los amplificadores con BJT son mucho mayores que las correspondientes a los FET.
En general los FET son más estables con la temperatura y, normalmente, más pequeños en construcción que los BJT, lo que les hace particularmente útiles encircuitos integrados (sobre todo los MOSFET).
Una característica importante de los FET es que se pueden comportar como si se tratasen de resistencias o condensadores, lo que posibilita la realización de circuitos utilizando única y exclusivamente transistores FET. (Desconocido)
El transistor FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cual se le adicionan dos regiones con impurezas tipo...
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