Transistores

Recortadores en serie sin voltaje de cd.
Vi Vo Vi Vo

Vm

+ t Rl

+ t -Vm

Vm

+ t Rl

Vm

Recortadores en serie polarizados con un voltaje de cd. (V). Vi + Vm t -Vm - RL -(Vm + V) t V + Vo

Vi V Vm t -Vm RL + + V

Vo

t 0 -(Vm-V)

Vi Vm t -Vm +

V + RL - -V

Vo (Vm-V) t

Recortadores en paralelo sin voltaje de cd. Vi Vm -Vm + t R + -Vm Vo Vm t Vi + R + Vm

TablaI.4 Circuitos Recortadores.

29

Recortadores en paralelo con voltaje de cd. (V) Vi Vm + R + t -Vm Recortadores en paralelo con voltaje de cd ( V ) Vi Vm t V -Vm + R + V t Vo Vo Vi Vm + t R + Vo Vm

Vi + Vm t

R + t V -V -Vm

Vi + Vm t -

R + V t V Vm

R Vi t V + +

Vo Vm t -V

Tabla I.5 Circuitos Recortadores.

30

I.6. Diodo Zener.
Un diodo zener, se muestra en la figuraI.35a y se le considera como un dispositivo que fue diseñado para ser utilizada en la región zener al máximo. Esto último lo muestra la gráfica I.1.

Ánodo

Cátodo

Ánodo

Cátodo

(-)
a) b)

(+)

Fig I.35. a) Símbolo del diodo y b) Polarización para el estado de conducción

Ésta región zener, es el voltaje o barrera que se necesita vencer para que el diodo zener “conduzca” y unavez que esté en conducción, mantenga un voltaje de c.c. que será proporcional a la magnitud que tenga la región zener. En la grafica I.4a se destacan la región zener en el tercer cuadrante, esto por que la polarización para tener al diodo zener en estado de conducción es inversa, esto es, el positivo de la fuente externa de alimentación conectado al cátodo del zener y el negativo de la fuente dealimentación al ánodo, figura I.35b. Cuando se tiene las características de funcionamiento anteriores al zener se le considera como un corto circuito. Haciendo la comparación con el comportamiento del diodo de silicio con éstas características de polarización, al diodo de silicio se le considera como un circuito abierto, ya que para que tenga el comportamiento que muestra la gráfica I.1b, el diodo desilicio debe tener una polarización directa Iz ID

Vz v VD v

Región activa del diodo zener

a)

b)
Grafica I.1 a) Características de regulación Zener, b) Características del diodo de silicio

31

De la gráfica 1.1a, que indica las características de funcionamiento del zener, en donde el descenso vertical en la respuesta de operación se aproxima a las del diodo ideal, solo que larespuesta del diodo zener está desplazada por el voltaje Vz. Así que para cualquier voltaje menores de -Vz se tendrá como resultado un circuito abierto, ( ver gráfica I.1a). Lo anterior ocurrió en el diodo de silicio, cuando se tenia voltajes por debajo del VD ( ver grafica I.1b). Sin embargo existe gran diferencia entre un diodo zener y uno de silicio en la región de polarización, para el estado deconducción. Esto es, en tanto el diodo de silicio mantiene su equivalente en circuito abierto en la región de polarización inversa, el diodo zener en estas mismas condiciones de polarización se encontrará en estado de equivalencia de corto circuito, solo cuando se alcance y rebase el voltaje zener (-Vz). Ahora considerando el otro caso, cuando a un diodo de silicio se le aplica un voltaje enpolarización directa, éste asumirá su equivalente de corto circuito, solo cuando se alcanza o rebasa al voltaje VD, mientras en el diodo zener en estas mismas condiciones de polarización pasará al estado de no conducción (no conducción en características zener ). Por lo tanto no se tendrá registro alguno del voltaje zener, pero si se contará con un equivalente de funcionamiento a la de un diodo desilicio en conducción. El circuito equivalente para un diodo zener, incluye una resistencia dinámica muy pequeña y una batería de cd que es proporcional al potencial zener, como se muestra en la figura I.36. Ánodo Cátodo

Γz

Vz

Fig. I.36 Circuito equivalente de un diodo zener

Considerando que para aplicaciones sucesivas, las resistencias externas utilizadas tienen una magnitud mucho...