Transistores

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Transistores
Alumnos: Nahuel Mongelli- Martin Varela- Samuel Hirak – Javier Soto
Profesor: Alejandro Behringer
Año: 5º A B.T.I - U.N.L.Z
Fecha: 21/11/2011

INDICE:
1.1 TRANSISTORES
1.2 TRANSISTORES BIPOLARES
1.3 TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (JFET)
1.4 TRANSISTORES DE EFECTOS DE CAMPO (MOSFET)
1.5 FOTOTRANSISTORES

1.1 Los Transistores

Lostransistores son unos elementos que han facilitado, en gran medida, el diseño de circuitos electrónicos de reducido tamaño, gran versatilidad y facilidad de control.
Vienen a sustituir a las antiguas válvulas termoiónicas de hace unas décadas. Gracias a ellos fue posible la construcción de receptores de radio portátiles llamados comúnmente "transistores", televisores que se encendían en un par desegundos, televisores en color... Antes de aparecer los transistores, los aparatos a válvulas tenían que trabajar con tensiones bastante altas, tardaban más de 30 segundos en empezar a funcionar, y en ningún caso podían funcionar a pilas, debido al gran consumo que tenían.

Los transistores tienen multitud de aplicaciones, entre las que se encuentran:
Amplificación de todo tipo (radio,televisión, instrumentación)
Generación de señal (osciladores, generadores de ondas, emisión de radiofrecuencia)
Conmutación, actuando de interruptores (control de relés, fuentes de alimentación conmutadas, control de lámparas, modulación por anchura de impulsos PWM)
Detección de radiación luminosa (fototransistores)
Los transistores de unión (uno de los tipos más básicos) tienen 3 terminalesllamados Base, Colector y Emisor, que dependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.

Por otro lado, los Transistores de Efecto de Campo (FET) tienen también 3 terminales, que son Puerta (Gate), Drenador (Drain) y Sumidero (Sink), que igualmentedependiendo del encapsulado que tenga el transistor pueden estar distribuidos de varias formas.
Tipos detransistores. Simbología
Existen varios tipos que dependen de su proceso de construcción y de las apliaciones a las que se destinan. Aquí abajo mostramos una tabla con los tipos de uso más frecuente y su simbología:
Transistor Bipolar de Unión (BJT)
Transistor de Efecto de Campo, de Unión (JFET)Transistor de Efecto de Campo, de Metal-Óxido-Semiconductor (MOSFET)
FototransistorNota: En un esquema electrónico, los transistores se representan mediante su símbolo, el número de transistor (Q1, Q2, ...) y el tipo de transistor, tal como se muestra aquí:

Aquí podemos ver una selección de los transistores más típicos, mostrando su encapsulado y distribución de patillas.

Curva característica de entrada
Si variamos el valor de la pila VBB de la malla de entrada, tomandovalores de IB y VBE podemos obtener la característica de (la malla de) entrada.



Como vemos, el la característica del diodo base-emisor, y tiene una forma exponencial.

Analizamos la malla de salida y obtenemos distintas curvas para diferentes valores de IB.
Ajustando VBB fijo un valor de IB que voy a mantener constante (por ejemplo IB = 10 mA). Ahora variando VCC mido valores de VBE y ICy obtengo la correspondiente curva de IB = 10 mA. Hago lo mismo para IB = 20 mA, etc... Y así sucesivamente para diferentes valores de IB.
En cada una de estas curvas hay diferentes zonas:

UE = diodo EB = Unión de Emisor.
UC = diodo CB = Unión de Colector.
Zona entre 1 y 2: ZONA DE SATURACIÓN.
UE directa.
UC directa.
Zona entre 2 y 3: ZONA ACTIVA.
UE directa.
UC inversa.
Zona apartir de 3: ZONA DE RUPTURA.
UE directa.
UC muy en inversa.
Recordar que en activa conociendo el valor de IB se puede calcular la IC (IC = bcc · IB).

La zona de corte es desde IB = 0 hacia abajo (zona rallada) y no conduce
Veamos para que sirve cada zona:
Activa: Amplificadores y demás Circuitos Lineales

Corte y Saturación: Conmutación (Corte abierto y Saturación cerrado).

En...
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