VHDL

UNIDAD 2 MEMORIAS
Ejemplo Flip Flop tipo D

74174 Registro de 6 Bits

Entrada Paralelo / Salida Paralelo

























 Registro ó Lugar de Memoria
28 =256
256 Bus de datos
Bus de dirección

*Celda de Memoria: Es un circuito electrónico que se utiliza para almacenar 1 solo bit (0 ó 1) Algunosejemplos de celdas son: Flip Flop (Celda Estática) Capacitor (Dinámica).
Las Pc’s son Memorias dinámicas (Sim). También Existieron las cintas magnéticas usadas como celdas.
*Palabra de Memoria: Un grupo de bits (Celdas) que representa instrucciones o datos de algún tipo. Hay tamaños típicos de palabras; 8, 16, 32, 64 (Bits)
*Byte: Es un término especial que se usa para una palabra de 8 bits, quees el tamaño de palabra más común en las microcomputadoras.
*Capacidad: Es la forma de especificar cuantos Bytes o Bits pueden almacenarse en un tipo de Memoria operacional.
1 Kbyte = 1024 Bytes
4 Kbyte (Nº de Bits = 4 x 1024 Bytes) ó (4 x 1024 x 8 Bits)
8 Kbyte ó 8kx8 (Nº Bits = 8 x 1024 x 8)  Bits
1 Mb = 1024 Kb
1 Gb = 1024 Mb
*Operación de lectura: Es la operación por medio de la cualuna palabra almacenada en un lugar específico es transferida a otro dispositivo (El dato se copia y se transfiere) El dato leído no es afectado, solo se copia.
*Operación de escritura: Es la operación por medio de la cual se coloca la palabra en cierta localidad de memoria. También esta operación se llama almacenar. Siempre que una palabra nueva se escribe en un lugar de memoria, esta reemplazala palabra que se encontraba anteriormente.
*Tiempo de acceso (Acces Time): Es la medida de la velocidad de operación del dispositivo de memoria. Es la cantidad de tiempo que se requiere para realizar una operación de lectura. En términos más específicos, es el tiempo que transcurre entre la recepción de una nueva dirección en el bus de dirección de la memoria y la disposición de los datos en elbus de datos, se usa el símbolo tacc para designar el tiempo de acceso.
*Memoria volátil: Es cualquier memoria que requiere la aplicación de energía eléctrica a fin de mantener almacenada la información. Si se retira la memoria, toda la información almacenada se perderá.
Las dos principales categorías de memorias semiconductoras son la RAM y ROM.
*Memoria de acceso aleatorio RAM (RandomAccess Memory): Es un tipo de memoria en la que se tarda lo mismo en acceder a cualquier dirección de memoria y estas se pueden seleccionar en cualquier orden, tanto en operación de lectura como escritura. Debido a que las RAM pierden los datos almacenados cuando se desconecta la alimentación, reciben el nombre de memorias volátiles.
*Memoria de solo lectura ROM (Read Only Memory): Es un tipo dememoria en la que los datos se almacenan de forma permanente. Los datos se pueden leer de una ROM, pero no existe la operación de escritura como en las RAM. Al igual que la RAM es una memoria de acceso aleatorio. Las ROM mantienen los datos almacenados incluso si se desconecta a la alimentación, recibe el nombre de memoria no volátil.
*Dirección: Numero que identifica la localidad de una palabra enla memoria. Cada palabra almacenada en un dispositivo de memoria tiene una dirección única. Las direcciones siempre se especifican como un número binario, aunque algunas veces se usan números en hexadecimal o decimal por conveniencia.





















1
0
0
0
1
1
0
1
Ilustración de la operación de escritura:
1
0
1








El código de dirección 101se coloca en el bus de direcciones y se selecciona la dirección 5.
El byte de datos se coloca en el bus de datos.
El comando de escritura hace que el byte de datos se almacene en la dirección 5, reemplazando a los datos anteriores.






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1
0
0
0
0
0
1
Ilustración de la operación de lectura:
0
1
1








El código de dirección 011 se coloca en el bus de...