Acitacion del bjt

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DEPARTAMENTO DE CIENCIAS DE LA ENERGÍA Y MECÁNICA
CARRERA DE INGENIERÍA MECATRÓNICA

Electrónica de Potencia
Ing. Fausto Ludeña
Tema: Informe de Práctica: Conmutación del BJT

Integrantes:
Karen Angulo
Luis Aulis
Luis Cuasque
Andrés Mancheno
Santiago Sevillano

Sangolquí, 23 Noviembre, 2010

TEMA: Activación y Desactivación del Transistor BJT

ALCANCE:
Con la presentepráctica se pretende realizar el análisis del transistor BJT en la zona de corte y saturación, con una aplicación básica del comportamiento como conmutador del mismo.
OBJETIVOS:
General
* Determinar la activación y desactivación del BJT dentro del campo de la conmutación.
Específicos
* Disminuir los tiempos de conmutación del transistor
* Aplicar la conmutación del transistor en uncircuito
* Determinar los tiempos de encendido y apagado del transistor bjt 2n3055
* Determinar la frecuencia de trabajo de un transistor BJT de potencia.
INTRODUCCIÓN:
El transistor es un dispositivo semiconductor multi-unión. Normalmente el transistor está integrado con otros elementos del circuito para obtener ganancia en voltaje, en corriente o en potencia.

Los transistores bipolares,también conocidos como BJT (bipolar junction transistor), son uno de los dispositivos semiconductores más importantes. Se utilizan para circuitos de alta velocidad, circuitos analógicos y aplicaciones de potencia.

El transistor bipolar fue inventado en 1947 en los laboratorios Bell. El dispositivo tenía dos cables metálicos formando dos puntos de contacto en un substrato semiconductor degermanio. Este dispositivo amplificaba la señal de entrada cuando uno de los puntos de contacto estaba polarizado en directa y el otro en inversa respecto al tercero. Este primer transistor no cumple los estándares de hoy día, pero fue revolucionario en la industria electrónica y cambió la forma de vida de ese entonces.

Los BJT modernos se han reemplazado el germanio por el silicio y los puntos decontacto por parejas de uniones p-n cercanas en formas de estructuras de p-n-p o n-p-n.

En esta práctica se realiza los cálculos y las mediciones para las características del transistor en funcionamiento como conmutador.

1. MARCO TEÓRICO

2.1. BJT en conmutación

En el contexto de los componentes electrónicos de potencia, es usado como un dispositivo de conmutación, ya que,dispone de las características que lo convierten en un conmutador casi ideal.
A diferencia del transistor bipolar normal, en el cual, la zona de trabajo más importante es la lineal, en el transistor de potencia los estados más importantes de funcionamiento son saturación y corte. Estos dos estados se corresponden con los estados cerrado y abierto del conmutador ideal.
Los transistores bipolaresde alta potencia se utilizan fundamentalmente para trabajar con frecuencias por debajo de 10KHz y en aplicaciones que requieran 1.200 V y 400 A como máximo.
Los transistores bipolares de potencia presentan durante la conmutación un fenómeno complejo conocido como efecto de segunda ruptura. Si la ruptura por avalancha se denomina primera ruptura, la segunda ruptura se puede definir como la rupturade la unión debido a efectos térmicos localizados (creación de puntos calientes).

Fig.1 Curva característica del BJT

2.2. Características del Transistor Bipolar
CORTE:

– El BJT en corte tiene su Ib a cero amperios.
– La Ic es igual a la de fugas
– La tensión Vce es Vcc si se desprecia la caída producida por la corriente
de fugas.
– El BJT se comporta como un interruptorabierto.

SATURACION:

– En esta zona la Vce es aproximadamente de 0,2 voltios.
– La Ic es aproximadamente igual a Vcc dividido por la suma de resistencias
en la malla de colector – emisor.
– Se comporta como un interruptor cerrado.

El funcionamiento y utilización del transistor de potencia es idéntico al del transistor normal, teniendo como característica especial la capacidad de soportar...
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