Capitulo 1 electronica de potencia

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Capitulo1:

1. Electrónica de potencia:
Se puede definir como la aplicación de la electrónica en estado sólido para el control y la conversión de la energía eléctrica. 
2. Tipos de tiristores:
tiristores de control de fase SCR, de conmutación rápida SCR, de desactivación por compuerta GTO, de tríodo bidireccional TRIAC, conducción inversa RCT, de inducción estatica SITH, rectificadorescontrolador por silicio- activados por luz LASCR, controlados por FET FET-CTH, controlados por MOS MCT.
3. Circuito de conmutación:  Aquel q polariza la compuerta de un tiristor (DIAC, TRIAC, SCR, FET) para que haya paso de corriente de anodo a catodo

4. Condiciones para que un tiristor conduzca: un tiristor tiene 3 terminales; un anodo, catodo y compuerta. Cuando una péqueña corriente pasa através de la terminal compuerta hacia el catodo, el tiristor conduce siempre y cuando la terminal de anodo este a un potencial mas alto q el catodo.

5. Como desactivar un tiristor en conducción: Haciendo que el potencial del anodo se igual o menor al potencial del catodo. Los tiristores conmutados en línea se desactivan en razón de la naturaleza senoidal del voltaje de entrada y los tiristoresconmutados en forma forzada, se desactivan en razón de la naturaleza.

16. Pasos incluidos en el díseno de un equipo electrónico de potecia:  se puede dividir en 4 partes; 1.- diseño de los circuitos de potencia, 2.- protección de los dispositivos de potencia, 3.- determinación de la estrategia de control, 4.- diseño de los circuitos lógicos y de mando. 

17. Efectos periféricos del equipoelectrónico de potencia:
Las operaciones de los convertidores de potencia se basan en la conmutación de dispositivos semiconductores de potencia y como resultado, los convertidores introducen armonicas de corriente y de voltaje en el sistema de alimentación y en la salida de los convertidores. Normalmente es necesario introducir filtro en la salida y en la entrada de un sistema convertidor parareducir a una magnitud aceptable el nivel de armonicas.

18. Diferencias entre las características de compuerta de los GTO y los tiristores:
En que los tiristores no se desactivan por medio de la compuerta y los GTO si se les aplica un pulso negativo o a la compuerta se pueden desactivar de su modo de operación.

19. Diferencias entre las características de compuerta de tiristores ytransistores:
Los transistores se activan por medio de corriente y los tiristores por medio de voltaje. 

20.- ¿Cuáles son las diferencias en las características de compuerta de los BJT y los MOSFET?
Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los convertidores de energía a frecuencias menores que 10 Khz. Y su aplicación es eficaz en las especificaciones de potencia de hasta 1200 V,400 A. un transisor bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. Por lo general, se opera en forma de interruptor en la configuración de emisor común.
Mientras que la base de un transistor NPN este a un potencial más alto que el emisor, y la corriente de base sea lo suficientemente grande como para excitar al transistor en la región de saturación, el transistor se conservará activadosiempre que la unión del colector al emisor esté correctamente polarizada.
La caída directa de un transistor en conducción esta en el rango de 0.5 a 1.5 V. si el voltaje de excitación de la base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conducción. (es decir, desactivado).
Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y están disponibles en unaespecificación de relativamente poca potencia en rango de 1000V, 50 A, en un rango de frecuencia de varias decenas de Khz.
21.- ¿Cuál es la característica de compuerta de un IGBT?
Los IGBT son transistores de potencia controlados por voltaje. Por naturaleza, son más rápidos que los BJT, pero aun no tan rápidos como los MOSFET. Sin embargo, ofrecen características de excitación y de salida muy...
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