Configuraciones Transistores Bipolares (Bjt)

Páginas: 5 (1021 palabras) Publicado: 14 de diciembre de 2012
 
Configuraciones Transistores Bipolares (BJT)
Todos los transistores BJT, NPN y PNP pueden polarizarse demanera que quede una terminal común en su circuito depolarización; es decir, un elemento que forma parte tanto de lazo de entrada como del lazo de salida. Este puede ser cualquiera de lastres terminales del dispositivo (Emisor, Base, Colector). Asíentonces, se tienen tres configuraciones:Configuración de Base Común:
La base es común a la entrada (emisor-base) y a la salida (colector-base).

 
La terminología de la base común se deriva del hecho de que labase es común tanto a la entrada como a la salida de laconfiguración.Para describir el comportamiento de un dispositivo de tresterminales, se requiere de dos conjuntos de características, uno para la entrada y otro para lasalida. En la Figura 1, se muestra el conjunto de características de entrada para el amplificador de base común, relacionara la corriente de entrada (IE) con el voltaje de entrada (VBE) para varios niveles de voltaje de salida (VCB).
En la Figura 2
Se muestra el conjunto de características de salidapara el amplificador de base común, relacionara la corriente de salida (Ic) con el voltaje de salida(VCB) para varios niveles de corriente de entrada (IE).

Figura 2
 

El conjunto de características de salida tiene tres regionesoperativas del transistor bipolar, como se indica en la figura 2: La región activa (Active región), la región de corte (cutoff región) y la región de saturación (saturation región).
Regiones operativas del transistor Región de corte: 
Untransistor esta en corte cuando: corriente de colector = corriente de emisor = 0A, (Ic = Ie = 0A)En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor 
es el voltaje de alimentación del circuito. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base = 0A (Ib =0A).
Región de saturación:
Un transistor está saturado cuando: corriente de colector = corriente de emisor = corriente máxima,(Ic = Ie =I máxima)En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje dealimentación del circuito y de losresistoresconectados en elcolector o el emisor o en ambos. Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo suficientemente grande como para inducir una corriente de colector β veces más grande. (Recordar que Ic = β * Ib).
 
En este caso el voltaje entre el colector y el emisordel transistor es 0V.Región activa: Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (Ic) depende principalmente de la corriente de base (Ib), de β (ganancia de corriente de un amplificador, es un dato del fabricante) y de las resistencias que hayan conectadas en elcolector y emisor).Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un amplificador.

 
Configuración de Emisor Común:
El emisor es común tanto a la entrada (base-emisor) como a la salida (colector-emisor). La entrada esta en la base y la salida en el colector. La terminología emisor común se deriva del hecho de que el emisor es común tanto a la entrada como ala salida de la configuración.Para describir el comportamiento de un dispositivo de tresterminales, se requiere de dos conjuntos de características, uno para la entrada y otro para la salida. En la Figura 3, se muestra el conjunto de características de entrada para el amplificador de emisor común, relacionara la corriente de entrada (IB) con el voltaje de entrada (VBE) para varios niveles devoltaje de salida (VCE).

 La terminología emisor común se deriva del hecho de que el emisor es común tanto a la entrada como a la salida de la configuración.Para describir el comportamiento de un dispositivo de tresterminales, se requiere de dos conjuntos de características, uno para la entrada y otro para la salida. En la Figura 3, se muestra el conjunto de características de entrada para el...
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