Cristian

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El FET (transistor de efecto de campo)
Los símbolos del FET son:
[pic]                              [pic]
Fet canal P                       Fet canal N
El FET es un dispositivo semiconductor que controla un flujo de corriente por un canal semiconductor, aplicando un campo eléctrico perpendicular a la trayectoria de la corriente.
El FET está compuesto de una parte de silicio tipo N, a la cualse le adicionan dos regiones con impurezas tipo P llamadas compuerta (gate) y que están unidas entre si. Ver la figura
Los terminales de este tipo de transistor se llaman Drenador (drain), Fuente (source) y el tercer terminal es la compuerta (gate) que ya se conoce. La región que existe  entre el drenador y la fuente y que es el camino obligado de los electrones se llama "canal". Ver el gráfico.[pic]
La corriente fluye de D a S
Este tipo de transistor se polariza de manera  diferente al transistor bipolar. El terminal de drenaje se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y la compuerta o gate se polariza negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).
A mayor voltaje -Vgg, más angosto es el canal y más difícil para la corriente pasar del terminal drenador(drain) al terminal fuente o source. La tensión -Vgg para la que el canal queda cerrado se llama "punch-off" y es diferente para cada FET
El transistor de juntura bipolar es un dispositivo operado por corriente y requieren que halla cambios en la corriente de base para producir cambios en la corriente de colector. El FET es controlado por tensión y los cambios en tensión de la compuerta (gate) afuente (Vgs) modifican la región de rarefacción y causan que varíe el ancho del canal
La curva característica del FET.
[pic]
Este gráfico muestra que al aumentar el voltaje Vds (voltaje drenador - fuente), para un Vgs (voltaje de compuerta) fijo, la corriente aumenta rápidamente (se comporta como un resistor) hasta llegar a un punto A (voltaje de estricción), desde donde la corriente se mantienecasi costante hasta llegar a un punto B (entra en la región de disrupción o ruptura), desde donde la corriente aumenta rápidamente hasta que el transistor se destruye.
Si ahora se hace este gráfico para más de un voltaje de compuerta a surtidor (Vgs), se obtiene. Ver que Vgs es "0" o es un valor negativo.
[pic]
Si Vds se hace cero por el transistor no circulará ninguna corriente. (ver gráficos)Para saber cual es el valor de la corriente se utiliza la siguiente fórmula
ID = IDSS ( 1 - [ Vgs / Vgs (off) ]  )
donde:
 - IDSS es el valor de corriente cuando la Vgs = 0
 - Vgs (off) es el voltaje cuando ya no hay paso de corriente entre drenaje y fuente (ID = 0)
 - Vgs es el voltaje entre entre la compuerta y la fuente para la que se desea saber ID
Como Vgs es el voltaje que controla elpaso de la corriente ID (regula el ancho del canal), se puede comparar este comportamiento como una resistencia cuyo valor depende del voltaje VDS. Esto es sólo válido para Vds menor que el voltaje de estricción (ver punto A en el gráfico).
Entonces si se tiene la curva característica de un FET, se puede encontrar La resistencia RDS con la siguiente fórmula:
DS = VDS / ID
 
Una segundaconfiguración del FET es el circuito de Drenaje común llamado también Fuente seguidor este circuito proporciona una ganancia de voltaje menor que 1 sin inversión de polaridad. Además el circuito proporciona una impedancia muy alta y una baja impedancia de salida.
El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio.
Existen dos tipostransistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor.
El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor (E), coincidiendo siempre, el emisor, con la patilla que tiene la flecha en el gráfico de transistor.
El transistor es un amplificador de...
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