El plan b
Páginas: 6 (1260 palabras)
Publicado: 23 de septiembre de 2010
INOFORME DE LABORATORIO OSCILADOR DE GUNN
TILLEY CONSTAN MEDERO
DIANA VILLAMIZAR
MELISSA GAMEZ
ING
Carlos Chavarría
UNIVERSIDAD SANTO TOMAS
FACULTAD DE INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES
ARE DE MICROONDAS Y LABORATORIO
MEDELLIN
2010
CONTENIDO
Pág.1. INTRODUCCION………………………………………………………. …3
2. OBJETIVOS………………………………………………………………...4
1. GENERAL…………………………………………………………...….4
2. ESPECIFICOS…………………………………………………………4
3. MARCO TEORICO……………………………………………..…………..5
1. OSCILADOR GUNN……………………………………...……………5
2. EFECTO GUNN……………………………………………...…………6
4. PROCEDIMIENTO……………………………………………..…………7
5.CONCLUSIONES………………………………………………………….10
1. INTRODUCCION
En el área de las telecomunicaciones, los dispositivos electrónicos como diodos han permitido el modelamiento de sistemas de comunicaciones basados en el comportamiento de las ondas electromagnéticas y en como estas pueden ser modificadas por medio de distintos factores extrínsecos del medio en que estos se apliquen como por ejemplo los fenómenos queprovocan el decaimiento de potencia en las señales.
Para este caso en particular se observara detenidamente el comportamiento del oscilador de Gunn, como por medio de este son originadas las señales de microondas, así como también la relación de corriente y voltaje que preceden al originar dichas señales.
2. OBJETIVOS
2.1. GENERAL
Estudiar el principio de funcionamiento del osciladorGunn y su principal aplicativo en los sistemas de microondas.
2. ESPECIFICOS
1. Obtener una curva de corriente en función del voltaje.
2. Determinar las características del oscilador Gunn.
3. Determinar las curvas correspondientes a la potencia entregada por el OG y eficiencia del mismo en función del voltaje suministrado.
4. Trazar las curvascaracterísticas de numeral 1 y 3.
3. MARCO TEORICO
1. OSCILADOR GUNN
El Oscilador Gunn sirve para generar potencia de microondas. Está compuesto por módulos y puede ser separado en los siguientes elementos componentes:
• Modulo diodo-Gunn.
• Pared posterior de la cubierta.
• Adaptador para guía de onda.
[pic]
Figura N.1: Oscilador Gunn.
Una fuente GUNN consiste enun diodo GUNN colocado en una cavidad resonante. Dependiendo de la cantidad de fabricación, los diodos Gunn pueden suministrar señales de microondas con componentes que van de 1mW a 5mW. La eficiencia de estas fuentes puede variar de 0.2% a 20%, debido a que la mayor parte de la potencia se disipa como calor. Por lo tanto, para evitar que se quemen, los diodos Gunn requieren disipadores a fin deevacuar eficientemente el calor. Usualmente, las frecuencias de la señal de microondas generadas se encuentran dentro del intervalo de 1 a 100GHz, dependiendo del diodo utilizado y de la cavidad resonante asociada. El termino diodo no es una denominación correcta porque los diodos Gunn en realidad no lo son. El termino diodo se utiliza debido a que son dispositivos semiconductores de dosterminales y permiten la utilización del término ánodo para su extremo positivó. El nombre Gunn viene del efecto Gunn, que es principio del funcionamiento del dispositivo.
1. EFECTO GUNN
El efecto fue descubierto por Gunn en 1963. Este efecto es un instrumento eficaz para la generación de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales semiconductores.
El efecto Gunn es unapropiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unión misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnéticos.
Cuando se aplica un pequeño voltaje continuo a través de una plaquita delgada de Arseniuro de Galio (GaAs), ésta presenta características de resistencia negativa. Todo esto bajo la condición de que el...
TILLEY CONSTAN MEDERO
DIANA VILLAMIZAR
MELISSA GAMEZ
ING
Carlos Chavarría
UNIVERSIDAD SANTO TOMAS
FACULTAD DE INGENIERIA DE TELECOMUNICACIONES
ARE DE MICROONDAS Y LABORATORIO
MEDELLIN
2010
CONTENIDO
Pág.1. INTRODUCCION………………………………………………………. …3
2. OBJETIVOS………………………………………………………………...4
1. GENERAL…………………………………………………………...….4
2. ESPECIFICOS…………………………………………………………4
3. MARCO TEORICO……………………………………………..…………..5
1. OSCILADOR GUNN……………………………………...……………5
2. EFECTO GUNN……………………………………………...…………6
4. PROCEDIMIENTO……………………………………………..…………7
5.CONCLUSIONES………………………………………………………….10
1. INTRODUCCION
En el área de las telecomunicaciones, los dispositivos electrónicos como diodos han permitido el modelamiento de sistemas de comunicaciones basados en el comportamiento de las ondas electromagnéticas y en como estas pueden ser modificadas por medio de distintos factores extrínsecos del medio en que estos se apliquen como por ejemplo los fenómenos queprovocan el decaimiento de potencia en las señales.
Para este caso en particular se observara detenidamente el comportamiento del oscilador de Gunn, como por medio de este son originadas las señales de microondas, así como también la relación de corriente y voltaje que preceden al originar dichas señales.
2. OBJETIVOS
2.1. GENERAL
Estudiar el principio de funcionamiento del osciladorGunn y su principal aplicativo en los sistemas de microondas.
2. ESPECIFICOS
1. Obtener una curva de corriente en función del voltaje.
2. Determinar las características del oscilador Gunn.
3. Determinar las curvas correspondientes a la potencia entregada por el OG y eficiencia del mismo en función del voltaje suministrado.
4. Trazar las curvascaracterísticas de numeral 1 y 3.
3. MARCO TEORICO
1. OSCILADOR GUNN
El Oscilador Gunn sirve para generar potencia de microondas. Está compuesto por módulos y puede ser separado en los siguientes elementos componentes:
• Modulo diodo-Gunn.
• Pared posterior de la cubierta.
• Adaptador para guía de onda.
[pic]
Figura N.1: Oscilador Gunn.
Una fuente GUNN consiste enun diodo GUNN colocado en una cavidad resonante. Dependiendo de la cantidad de fabricación, los diodos Gunn pueden suministrar señales de microondas con componentes que van de 1mW a 5mW. La eficiencia de estas fuentes puede variar de 0.2% a 20%, debido a que la mayor parte de la potencia se disipa como calor. Por lo tanto, para evitar que se quemen, los diodos Gunn requieren disipadores a fin deevacuar eficientemente el calor. Usualmente, las frecuencias de la señal de microondas generadas se encuentran dentro del intervalo de 1 a 100GHz, dependiendo del diodo utilizado y de la cavidad resonante asociada. El termino diodo no es una denominación correcta porque los diodos Gunn en realidad no lo son. El termino diodo se utiliza debido a que son dispositivos semiconductores de dosterminales y permiten la utilización del término ánodo para su extremo positivó. El nombre Gunn viene del efecto Gunn, que es principio del funcionamiento del dispositivo.
1. EFECTO GUNN
El efecto fue descubierto por Gunn en 1963. Este efecto es un instrumento eficaz para la generación de oscilaciones en el rango de las microondas en los materiales semiconductores.
El efecto Gunn es unapropiedad del cuerpo de los semiconductores y no depende de la unión misma, ni de los contactos, tampoco depende de los valores de voltaje y corriente y no es afectado por campos magnéticos.
Cuando se aplica un pequeño voltaje continuo a través de una plaquita delgada de Arseniuro de Galio (GaAs), ésta presenta características de resistencia negativa. Todo esto bajo la condición de que el...
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