Electronica

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EL PUT

Definición:
El PUT o programmable unijunction transistor perteneciente a la familia de los dispositivos uniunión y sus características son similares al SCR. Es un dispositivo de disparo ánodo-puerta (anode-gate) puesto que su disparo se realiza cuando la puerta tenga una tensión más negativa que el ánodo, es decir, la conducción delPUT se realiza por control de las tensiones en susterminales.

Símbolo Eléctrico:

Estructura interna:

Curva Característica:

 En la figura puede verse que el PUT es como un SCR disparado por ánodo, esto es, si la compuerta se hace negativa respecto del ánodo, el dispositivo pasará del estado de bloqueo (o de corte) al estado de conducción.
        Una característica interesante que presenta este dispositivo es que tiene una región o zonade trabajo de resistencia negativa. Cuando la tensión entre ánodo y cátodo, Vak, supera a la tensión de pico Vp (la cual es programada mediante el divisor resistivo; R1, R2), el dispositivo entra en conducción, con lo cual cae la tensiónVak y aumenta la corriente. Esto ocurre hasta que se llega a la tensión de valle (Vv), el cual es un punto estable de operación. De esta forma, se obtiene laregión de resistencia negativa, delimitada entre los puntos de pico y de valle.

Representación física:

Circuito de aplicación:



EL UJT
Definición:
Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unión PN,Físicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) yde una conexión hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra, formando  así una unión PN.
El disparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula: Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1
Donde:
- n = intrinsic standoff radio(dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases
Símbolo Eléctrico:

Estructura interna:

Curva Característica:

El funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. En la grafica de la figura se describe las características eléctricas de este dispositivo a través de la relación de la tensión de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE). Se definen dos puntos críticos:punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valley-point (VV, IV), ambos verifican la condición de dVE/dIE=0. Estos puntos a su vez definen tres regiones de operación: región de corte, región de resistencia negativa y región de saturación, que se detallan a continuación:
Región de corte. En esta región, la tensión de emisor es baja de forma que la tensión intrínseca mantiene polarizadoinversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE<VP e IE < IP. Esta tensión de pico en el UJT viene definida por la siguiente ecuación
 
 (12.11)
 
donde la VF varia entre 0.35 V a 0.7 V con un valor típico de 0.5 V. Por ejemplo, para el 2N2646 es de 0.49V a 25ºC. El UJT en esta región se comporta como un elemento resistivo lineal entre las dos bases devalor RBB.
 
Región de resistencia negativa. Si la tensión de emisor es suficiente para polarizar el diodo de emisor, es decir, VE=VP entonces el diodo entra en conducción e inyecta huecos a B1 disminuyendo bruscamente la resistencia R1 debido a procesos de recombinación. Desde el emisor, se observa como el UJT disminuye su resistencia interna con un comportamiento similar a la de unaresistencia negativa (dVE/dIE < 0). En esta región, la corriente de emisor esta comprendida entre la corriente de pico y de valle (IP< IE< IV).
 
Región de saturación. Esta zona es similar a la zona activa de un tiristor con unas corrientes y tensiones de mantenimiento (punto de valle) y una relación lineal de muy baja resistencia entre la tensión y la corriente de emisor. En esta región, la...
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