Elementos de disparo tiristor

Solo disponible en BuenasTareas
  • Páginas : 8 (1756 palabras )
  • Descarga(s) : 0
  • Publicado : 5 de octubre de 2010
Leer documento completo
Vista previa del texto
ELEMENTOS DE DISPARO PARA TIRISTORES

MAIRA FERNANDA AMAYA QUITIAN Cod. 200711054




UNIVERSIDAD PEDAGOGICA Y TECNOLOGICA DE COLOMBIA
FACULTAD SECCIONAL DUITAMA
ESCUELA DE INGENIERIA ELECTROMECANICA
2010

TRANSISTOR UNIUNIÓN (UJT): (Uni-Juntion Transistor)

Es un dispositivo de disparo con un funcionamiento diferente al de otros transistores, que consiste de una sola unión PN.Transistor formado por una resistencia de silicio (de 4 a 9 KΩ) tipo N con tres terminales, dos bases, B1 y B2, y un emisor (unión NP). Esta resistencia se denomina de interbase, en un punto determinado de esta resistencia va colocado un diodo PN cuyo ánodo hace de emisor. Esta resistencia se puede obtenerse mediante una barra o un cubo de silicio.
UNION DE BARRA PLANARTambién se puede utilizar como un oscilador de relajación.

Físicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unión el aluminio crea una región tipo P en la barra, formando así una unión PN.

Eldisparo ocurre entre el Emisor y la Base1 y el voltaje al que ocurre este disparo está dado por la fórmula:
Voltaje de disparo = Vp = 0.7 + n x VB2B1 

Donde:
- n = intrinsic standoff radio (dato del fabricante)
- VB2B1 = Voltaje entre las dos bases 

CURVA CARACTERÍSTICA

ESTRUCTURA SIMBOLO

CIRCUITO

− VBB : Tensión interbase.
− rBB : Resistenciainterbase ⇒ rBB = rB1 + rB2
− VE : Tensión de emisor.
− IE : Intensidad de emisor.
− VB2 : Tensión en B2, (de 5 a 30 V para el UJT polarizado).
− VP : Tensión de disparo⇒ VP VrB VD = + 1
− IP : Intensidad de pico (de 20 a 30 μA.).
− VV : Tensión de valle de emisor
− IV : Intensidad valle del emisor.
− VD : Tensión directa de saturación del diodo emisor (de 0,5 y 0,7 V).
− μ : Relaciónintrínseca (de 0,5 a 0,8) ⇒

FUNCIONAMIENTO

El punto de funcionamiento viene determinado por las características del circuito exterior. Se basa en el control de la resistencia rB1B2 mediante la tensión aplicada al emisor.
Si el emisor no está conectado ó VE < VP ⇒ Diodo polarizado inversamente ⇒ no conduce ⇒ IE = 0.

Si VE ≥ VP ⇒ Diodo polarizado directamente ⇒ conduce ⇒ aumentaIE.
Cuando IP < IE < IV ⇒ entramos en una zona de resistencia negativa donde rBB varía en función de IE. A partir del punto de funcionamiento, si IE disminuye hasta alcanzar un valor inferior a IV el diodo se polariza inversamente.

TRANSISTOR UNIJUNTURA PROGRAMABLE (PUT) (Programable Uni-Juntion Transistor)

PARÁMETROS
Sus características idénticas al UJT, puede ajustar losvalores de μ, VP e IV mediante un circuito de polarización externo. Su constitución y funcionamiento es similar a las de un tiristor con puerta de ánodo. Tiene tres terminales: cátodo K, ánodo A y puerta de ánodo GA

FUNCIONAMIENTO DEL PUT
• Si VA < VGA ⇒ diodo A-GA se polariza inversamente ⇒ solo circula corriente de fugas.
• Si VA > VGA ⇒ diodo A-GA conduce y tiene una característicasimilar a la del UJT

La variación de μ IP e IV dependen de R1 y R2 en el divisor de tensión VGA, es decir de RG

El voltaje de valle VV es el de encendido del PUT (≈ 1 V).

DIAC: ESTRUCTURA Y CARACTERISTICAS (Diode Alternative Current)

Dispositivo bidireccional simétrico (sin polaridad) con dos electrodos principales, MT1 y MT2, y ninguno de control.

ESTRUCTURA
Se obtiene por dobledifusión de impureza de tipo opuesto al del sustrato. De manera sencilla opera como dos diodos conectados en paralelo inverso lo que le da su característica de unidireccionalidad

FUNCIONAMIENTO
El DIAC entra en conducción cuando se le aplica un voltaje que alcanza el voltaje de ruptura ( ± VBO) de especificación. Una vez iniciada la conducción, la corriente aumenta rápidamente y el voltaje...
tracking img