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INFORME DE LABORATORIO
GRABADOR Y LECTOR DE MEMORIA EEPROM 28C64

Leonar Steven Prieto González, Walter Arnulfo Marín Martínez, Juan Sebastián Díaz Guzmán

Universidad Cooperativa de Colombia
Digitales II
Bogotá, 2011
steven_9987@hotmail.com
maxorh2o_15@hotmail.com
juansediguz@hotmail.com



Abstract:.




INTRODUCCIÓN

En este laboratorio desarrollamos un lector y grabadorde memorias EEPROM manual, lograr construir, ingresar los datos y poder grabarlos y leerlos a su vez, usando leds y displays para decodificar los datos ingresados por el usuario.




OBJETIVOS

*Construir un grabador y lector de un tarjeta EEPROM.
*Poder ingresar datos de forma aleatoria y grabarlos, además poder leer de forma inmediata.
*Visualizar los datos correctamente, en lasposiciones dadas por el usuario.



MARCO TEORICO




1 CARACTERÍSTICAS GENERALES


El AT28C64B es un dispositivo EEPROM (electrically-erasable and programmable read only memory) de alto rendimiento. Sus 64K de memoria pueden contener hasta 8.192 datos de 8 bits. Ese dispositivo ofrece tiempos de acceso de 150 ns con disipación de potencia de 220 mW. Cuando el dispositivo esdeseleccionado, la corriente en Standby es menos de 100 µA.


Al AT28C64B se accede como una SRAM para los ciclos de lectura o escritura sin necesidad de componentes externos. Durante el ciclo de escritura, las direcciones desde 1 hasta 64 bytes de datos son internamente trabados, liberando el bus de datos y direcciones para otras operaciones. Tras el inicio de un ciclo de escritura, el dispositivoescribirá automáticamente los datos bloqueados usando un timer interno.


El AT28C64B posee características adicionales para asegurar su alta calidad. El dispositivo utiliza una corrección de datos interna para características extendidas de retención de datos mejorada. Un software opcional de protección está disponible para proteger contra escritura inadvertida, su diagrama de bloques estadetallado en la Fig. 1.

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Figura 1. Diagrama de bloques de le memoria AT28C64B


2 DISPOSICION DE PINES

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Figura 2. Vista superior y configuración de pines del AT28C64B




3 MODO DE OPERACIÓN



Este dispositivo se puede configurar de varias maneras dependiendo cuales de sus ciclos se quiera usar.
Tabla 2.
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Notas: X puede ser [pic] o [pic][pic]

Para grabar en la memoria AT28C64B, se deben colocar OE en alto (Vcc), WE en bajo (GND) y CE en alto, seguidamente se coloca la dirección en los pines A0-A12 y el dato a guardar en los 8 pines I/O0 - I/O7, a continuación se aplica un pulso en CE de manera que pase a cero (este pulso generalmente puede ser tan largo como se desee). Si se quiere guardar otro dato se repite lo anterior perocambiando la dirección para que el nuevo dato no se grabe sobre el guardado anteriormente.
Para leer los datos se coloca OE en bajo y WE en alto, se pone la dirección en los pines A0-A12 y se aplica el pulso a CE el tiempo necesario para revisar los datos, a continuación por los mismas pines I/O0 - I/O7 saldrán los datos que se han guardado en esa dirección. Se puede incluso dejar CE en bajotodo el tiempo y con contadores binarios ir cambiando las direcciones de manera sucesiva.
Este dispositivo también posee un mecanismo de protección contra escritura solo es necesario poner WE en alto sin importar en que posición este CE y OE o también se puede colocar OE en bajo sin importar las posiciones en las q este CE y WE.


Otras funciones son desactivar la salida de datos, paraesto OE se pone en alto sin importar las posiciones de CE y WE, si se quiere dejar la memoria en Standby CE se coloca en estado alto sin importar OE y WE, y por ultimo si se desean borrar todos los datos de la memoria CE y WE se ponen en bajo y a OE se le aplica un nivel alto de 12V.



INFORMACION DEL MONTAJE


Lo que se realizó en el laboratorio fue construir un lector de datos en...
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